1 上海理工大学 材料科学与工程学院,上海 200093
2 中国科学院上海技术物理研究所 红外物理国家重点实验室,上海 200083
3 上海师范大学 数理学院,上海 200234
4 中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室,上海 200083
在平面型InGaAs P-i-N短波红外探测结构中,p型杂质在材料中纵向和横向的扩散是决定pn结位置及其光电性能的主要因素,本文采用扫描电容显微方法(SCM)获得了扩散成结InGaAs/InAlAs像元剖面的二维载流子分布,从而实现对不同扩散条件下pn电场结的精确定位和分析。此外,对于InGaAs/InP探测器,SCM测量揭示了Zn杂质在各功能层中扩散行为的显著差异。在InGaAs吸收区中,Zn的侧向扩散速度是深度方向的3.3倍,远高于其在n-InP帽层中0.67的侧向与深度扩散比,这将对光敏元的边缘电容以及暗电流特性产生影响。
扫描电容显微(SCM) InGaAs平面型探测器 扩散行为 光电流响应 Scanning Capacitance Microscopy(SCM) planar InGaAs detector diffusion behavior photocurrent response
1 上海理工大学 材料科学与工程学院,上海 200093
2 中国科学院上海技术物理研究所 红外物理国家重点实验室,上海 200083
3 上海师范大学 数理学院,上海 200234
4 上海科技大学 物质科学与技术学院,上海 201210
首先从热力学角度讨论减少太阳能光伏结构效率损失,特别是光学熵损失的原理和途径,然后介绍半导体纳米线阵列在降低材料使用率的同时有效实现陷光和降低发射角的结构设计,其中由直径渐变纳米线形成的非周期阵列具有可见到近红外宽波段的导模共振陷光能力,同时极低的发射角大幅度地抑制了自发辐射引起的光子损失,成为有望突破Shockley-Queisser转换效率极限的光伏结构.
太阳能电池 可见至近红外 全向吸收 发射角限制 非均匀纳米线阵列 solar cells visible to near-infrared omnidirectional absorbtion emission angle limit non-uniform nanowire arrays 红外与毫米波学报
2019, 38(4): 04508