中国科学院上海技术物理研究所, 传感技术国家重点实验室, 上海 200083
探测器采用浸没透镜结构的单元光伏芯片,工作波段为2.5~3.2 μm。采用储能焊TO9管壳封装,将二级热电致冷器、 热敏电阻、透镜结构的HgCdTe红外探测器封装为一红外探测器组件,组件可在室温至-50 ℃下工作,经过老炼、力学和热学环境适应性试验后,结果表明,HgCdTe红外探测器的零偏电阻(R0)变化率、探测器峰值电流响应率(Rλp,I)变化率和热电致冷器(TEC)的交流阻抗(R)的变化率均小于5%,探测器暗电流Id@-0.1V≤9×10-7A,探测器的漏率优于1×10-7 Torr·l/s,组件的密封性达到了航天要求。
HgCdTe红外探测器 浸没透镜 热电致冷器 红外探测器组件 密封性 HgCdTe infrared detector immersion lens thermoelectric cooler infrared detector assembly sealing
1 中国科学院上海技术物理研究所 红外物理国家重点实验室,上海 200083
2 华东师范大学 极化材料与器件教育部重点实验室,上海 200241
综述了近几年来亚波长陷光结构HgCdTe红外探测器研究进展.系统介绍了一种结合有限元方法与时域有限差分方法对红外探测器的“光”“电”特性进行联合模拟和设计方法,以及基于这种新的数值模拟方法对亚波长人工微结构HgCdTe红外探测器的模拟和分析结果.理论分析和实验研制数据均显示这种新型亚波长人工微结构结构具有很好的陷光特性,在提高长波红外探测器性能方面具有潜在应用前景.
HgCdTe红外探测器 亚波长人工微结构 陷光效应 长波红外探测器 金属表面等离子激元 HgCdTe infrared detectors subwavelength microstructure photon trapping long wavelength infrared detectors surface plasmon polaritons
中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室，上海200083
研究了HgCdTe液相外延薄膜的纵向组分分布对探测器响应光谱的影响.提出了一种计算HgCdTe红外探测器响应光谱的模型，模型中综合考虑了薄膜的实际组分分布以及光在器件各层结构中的相干、非相干传输.计算结果表明，在探测器的光吸收区，HgCdTe液相外延薄膜的组分梯度及其产生的内建电场可以显著地提高器件的响应率.通过与实验数据进行比较，验证了模型的适用性.
HgCdTe红外探测器 纵向组分分布 响应光谱 光传输模型 HgCdTe IR detector longitudinal composition distribution spectral response model of light transmission
针对HgCdTe焦平面红外探测器封装的特殊性, 提出了芯片粘接胶的选用原则, 影响粘接质量的主要因素, 以及粘接工艺优化方法。提出了用于封装HgCdTe MW 320×256探测器的低温胶X1, 并对该胶做了一系列可靠性实验。实验证明, 低温胶X1满足该探测器的封装要求。
HgCdTe红外探测器 封装 芯片粘接 可靠性 HgCdTe IR detector package die attach reliability
