1 昆明理工大学理学院，云南昆明 650500
2 昆明物理研究所，云南昆明 650223
根据 PV探测器的开路输出公式，建立了涵盖长波、中波、短波的 HgCdTe探测器响应模型。模型仿真发现探测器被激光辐照后产生的温升将降低探测器的输出，探测器被激光直接照射后会立即产生饱和输出。综合实际应用提出了探测器软损伤的判断门限。
红外探测器 激光器 软损伤 激光辐照 HgCdTe HgCdTe，infrared detector，laser，soft damage，las
随着红外技术的发展, 探测器的尺寸、重量和功耗( SWaP)的减小已成为研究热点。像元尺寸的减小, 一方面可以提高器件的分辨率, 另一方面可以减小整个探测器系统的体积、重量和功耗, 进而大大节约成本。因此, 像元尺寸的减小成了研究的重点。本文介绍了小像元红外焦平面器件的技术难点, 分别从系统的调制传递函数(Modulation Transfer Function, MTF)、噪声等效温差(Noise Equivalent Temperature Difference, NETD)、像元结构和像元集成互连方面进行了讨论。此外, 介绍了国外像元中心距为 12 .m、10 .m、8 .m和 5 .m的 HgCdTe红外焦平面探测器的研究进展。
小像元 碲镉汞 红外探测器 small pixel, HgCdTe, infrared detector
中国科学院上海技术物理研究所, 传感技术国家重点实验室, 上海 200083
探测器采用浸没透镜结构的单元光伏芯片,工作波段为2.5~3.2 μm。采用储能焊TO9管壳封装,将二级热电致冷器、 热敏电阻、透镜结构的HgCdTe红外探测器封装为一红外探测器组件,组件可在室温至-50 ℃下工作,经过老炼、力学和热学环境适应性试验后,结果表明,HgCdTe红外探测器的零偏电阻(R0)变化率、探测器峰值电流响应率(Rλp,I)变化率和热电致冷器(TEC)的交流阻抗(R)的变化率均小于5%,探测器暗电流Id@-0.1V≤9×10-7A,探测器的漏率优于1×10-7 Torr·l/s,组件的密封性达到了航天要求。
HgCdTe红外探测器 浸没透镜 热电致冷器 红外探测器组件 密封性 HgCdTe infrared detector immersion lens thermoelectric cooler infrared detector assembly sealing
1 中国科学院上海技术物理研究所 材料与器件研究中心，上海200083
2 中国科学院大学，北京100039
针对直接倒焊(Ⅰ型)、间接倒焊(Ⅱ型)两种红外探测器模块，两者中的探测器芯片、硅读出电路和引线基板的尺寸完全相同，只在倒焊封装结构上有所差异，用有限元方法分析比较了这两种封装形式的基本模块于液氮温度时的热应力和形变大小情况，分析结果与实验现象符合较好，模块低温形变值的测量验证了有限元分析结果的合理性.
碲镉汞红外探测器 可靠性 热应力 形变 有限元分析 HgCdTe infrared detector reliability thermal stress warpage finite element analysis
