1 中国科学院上海技术物理研究所 材料与器件研究中心，上海200083
2 中国科学院大学，北京100039
针对直接倒焊(Ⅰ型)、间接倒焊(Ⅱ型)两种红外探测器模块，两者中的探测器芯片、硅读出电路和引线基板的尺寸完全相同，只在倒焊封装结构上有所差异，用有限元方法分析比较了这两种封装形式的基本模块于液氮温度时的热应力和形变大小情况，分析结果与实验现象符合较好，模块低温形变值的测量验证了有限元分析结果的合理性.
碲镉汞红外探测器 可靠性 热应力 形变 有限元分析 HgCdTe infrared detector reliability thermal stress warpage finite element analysis
介绍了金属/碲镉汞(Hg1-x Cdx Te, MCT)接触研究的 发展状况，包括基本概念、生长结构、化学活性以及电学性能。金属/MCT接触有两类：一类是电子(欧姆)接触，另一类是整流(Shottky)接触。欧 姆接触是MCT红外探测器的一个重要组成部分，它决定了器件的性能和可靠性。欧姆接触的电阻小，与MCT黏附性好，并且在热循环条件下可保持性能 稳定。由于需要具有较大功函数的接触金属，p型MCT很难实现，而n型MCT则可以用很多金属实现。
金属/半导体接触 金属/半导体界面 金属/碲镉汞接触 欧姆接触 碲镉汞红外探测器 metal/semiconductor contact metal/semiconductor interface metal/mercury cadmium telluride contact ohm contact mercury cadmium telluride infrared detector
1 中国科学院上海技术物理研究所 传感技术国家重点实验室，上海 200083
2 中国科学院上海技术物理研究所 中科院红外成像材料与器件重点实验室，上海 200083
3 中国科学院研究生院，北京 100039
制备了一种带有曲面延伸电极结构的碲镉汞光导型红外探测器，对曲面延伸电极的抗低温冲击能力进行了研究，在9次的液氮直接冲击下曲面延伸电极完好，器件电阻无大变化。通过扫描电子显微镜(SEM)对曲面延伸电极的台阶侧面微观形貌进行观察，发现在延伸台阶的侧面有孔洞出现。通过改进镀膜工艺，延伸台阶侧面的金属薄膜致密无孔洞。这表明宏观的电阻表征对微观缺陷不敏感，对电极可靠性的表征要结合微观形貌表征进行；同时适当的薄膜制备条件可以使大台阶侧面获得致密的金属薄膜，从而获得良好的台阶覆盖性。
曲面延伸电极 光导型碲镉汞红外探测器 电阻表征 扫描电子显微镜 微观形貌 curved extended-electrode HgCdTe IR photoconductor resistance characterization SEM
