采用3 种不同钝化膜制备InSb 探测器，测试不同周长/面积比二极管芯片的I-V 特性曲线，通过对偏置电压为－0.1 V 时的暗电流密度进行比较，分析了表面漏电流对InSb 探测器性能的影响。实验结果表明SiO2＋SiNx 复合膜能大幅度降低器件表面暗电流，C-V 测试结果也表明复合钝化膜能大幅度降低了界面固定电荷。将复合钝化膜应用到128×128 15 ?m InSb 焦平面探测器上，探测器芯片优值因子R0A≥5×104 ?·cm2，较之前（R0A≈5×103 ?·cm2）得到了极大改善。

能够直观地“看到”半导体材料中制作的 p-n结, 对于半导体器件的设计和制造工艺很有意义, 知道 p-n结的厚度及其在样品中的位置, 有利于设计器件的结构、保护膜的厚度、电极的尺寸等, 也可以优化离子注入、表面处理、电路互联等工艺参数。本文用 EBIC(电子束诱生电流)法观察了 InSb半导体器件中的 p-n结。同时观察到了器件中的肖特基结, 其中肖特基结显示出明显的温度特性：温度降低, 肖特基结响应区域扩大, 温度降至 80 K, Cr-InSb肖特基结响应区域可扩展至 47 .m。用离子注入法在 InSb材料中制成的 p-n结其空间电荷区并不呈对称的空间分布, 靠 n区一侧的空间电荷区较薄, 电荷密度较大, 靠 p区一侧的空间电荷区较厚, 电荷密度相对较小。作为一种常用的观察分析工具, EBIC法在观察分析半导体器件结构方面有透视和显微等优点。

介绍了金属/碲镉汞(Hg1-x Cdx Te, MCT)接触研究的 发展状况，包括基本概念、生长结构、化学活性以及电学性能。金属/MCT接触有两类：一类是电子(欧姆)接触，另一类是整流(Shottky)接触。欧 姆接触是MCT红外探测器的一个重要组成部分，它决定了器件的性能和可靠性。欧姆接触的电阻小，与MCT黏附性好，并且在热循环条件下可保持性能 稳定。由于需要具有较大功函数的接触金属，p型MCT很难实现，而n型MCT则可以用很多金属实现。

介绍了一种提高红外器件磁控溅射沉积镀膜厚度均匀性的方法。这种方法被称为基片离心旋转法，是在保持磁控溅射靶不动及靶和样品台间距不变的情况下，通过样品台离心旋转的方法，补偿或改善圆形磁控靶在正对的基片上沿径向的溅射沉积不均匀分布，是一种动态沉积法。这种方法可以在不改变磁控靶结构的情况下大大提高磁控溅射沉积镀膜的厚度均匀性。

碲镉汞(Hg1-x Cdx Te, MCT)材料的表面钝化被认为是光导和光伏探测器制备中的关键步骤之一。实 用的MCT器件需要稳定且可重复生产的钝化表面和符合器件性能要求的界面及表面势。通过对近年来 的部分英语文献进行归纳分析，介绍了MCT表面钝化研究的进展。描述了MCT钝化的基本概念。讨论了部分MCT钝化膜的生长 方法、界面性质和参数。

碲镉汞(Hg1-x Cdx Te, MCT)材料的表面钝化被认为是光导和光伏探测器制备中的关键步骤之一。实 用的MCT器件需要稳定且可重复生产的钝化表面和符合器件性能要求的界面及表面势。通过对近年来 的部分英语文献进行归纳分析，介绍了MCT表面钝化研究的进展。描述了MCT钝化的基本概念。讨论了部分MCT钝化膜的生长 方法、界面性质和参数。