烧结是低温共烧陶瓷(LTCC)基板工艺中关键工序之一, 对LTCC基板的各项性能指标具有重要的影响。本文以国产MG60生瓷带为研究对象, 研究了不同烧结升温速率对LTCC基板介电性能、翘曲度、膜层附着力、抗折强度等性能指标的影响, 分析了基板性能变化的原因。结果表明, 当升温速率为8 ℃/min时, 基板介电常数为5.788, 介电损耗为8.21×10-4, 基本无翘曲, 烧结致密, 附着力强, 抗折强度达到175 MPa。

本文采用基于密度泛函理论的第一性原理方法研究不同翘曲度下锗烯的电子结构及光学性质, 分析翘曲度对电子结构及光学性质的影响。采用六种不同的近似方法对锗烯的几何结构进行优化, 得到最稳定的结构体系, 在此基础上选取不同的翘曲度, 并对翘曲度的稳定性进行论证得到三种较稳定的翘曲结构。通过翘曲度的调节打开锗烯的带隙, 并且通过调节翘曲度实现锗烯带隙在间接带隙和直接带隙之间的转化, 通过分析态密度解释了能带结构的调控机制, 以及翘曲度对锗烯光学性质的影响。研究表明翘曲度能够有效地调控锗烯的电子结构和光学性质, 提高光电子利用效率。

背面减薄是制备InP基光电子芯片的一道重要工艺。晶圆被减薄后失去结构支撑, 会因应力作用产生剧烈形变, 翘曲度大幅提高。严重的翘曲会使芯片可靠性降低甚至失效, 应对晶圆的翘曲度进行控制和矫正。文章从“损伤层-翘曲度”理论出发, 实验研究了晶圆厚度、粘片方式、研磨压力、磨盘转速、磨料粒径对翘曲度的影响。根据试验结果优化工艺参量, 优化后晶圆的翘曲度降低了约20%; 再通过湿法腐蚀去除损伤层, 矫正已产生的翘曲, 使晶圆的翘曲度降低约90%。优化减薄工艺降低损伤应力与湿法腐蚀去除损伤层分别是控制和矫正晶圆翘曲度的适用方法, 可使翘曲度下降至之前的10%以内。

针对现有导光板翘曲度塞尺间隙测量法精度低、要求高等不足,采用一种单CCD摄像机图像清晰度评价方法对导光板翘曲度进行测量的方法。该方法基于摄像机检测装置,将检测纸和导光板分别置于检测平台表面,手动调节X轴、Y轴传动组定位、手动调节Z轴传动组调焦,分别获取导光板中间底面和表面不同特征的质量因素Q值图像清晰度峰值,比较不同大小滑动窗口实验和均方误差、熵值和KBlur算法。结果表明测量方法示值误差小、重复性较好,能够满足接触线在线、非接触检测的需求。

针对直接倒焊(Ⅰ型)、间接倒焊(Ⅱ型)两种红外探测器模块，两者中的探测器芯片、硅读出电路和引线基板的尺寸完全相同，只在倒焊封装结构上有所差异，用有限元方法分析比较了这两种封装形式的基本模块于液氮温度时的热应力和形变大小情况，分析结果与实验现象符合较好，模块低温形变值的测量验证了有限元分析结果的合理性.

对显著影响平板微小器件注塑成型的翘曲现象进行了研究。为了减少翘曲量, 以带十字微沟槽的微流控芯片的基片为研究对象, 研究了注塑工艺涉及的工艺参数。从注塑残余应力角度分析了翘曲变形的产生机理与演化过程。然后, 以数值仿真和工艺实验为手段, 建立了平板微小器件翘曲的测量方法。设计加工了基于硅型芯的注塑模具, 以翘曲测量方法为基础, 利用正交试验获得了最优注塑工艺参数。最后, 通过极差分析法定量分析工艺参数对翘曲的影响。实验显示, 通过工艺优化获得的最小翘曲量为141 μm, 工艺参数对翘曲的影响由大到小依次为：保压时间、模具温度、保压压力、熔体温度、冷却时间。该研究成果为平板微小器件注塑工艺提供了参考依据。

今天，各种电子设备在生活中日益普及，人们对于电子设备的要求已经不仅仅停留在功能上。轻薄化是电子设备发展的一个重要方向，随之而来的就是对液晶面板轻薄化的要求，而轻薄化会带来IC翘曲的问题。文章通过对IC翘曲的研究，得出了降低COG邦定中的主压温度并增高基座温度可以解决IC翘曲的结论。文中的结论对生产中COG邦定工艺的改善有很大作用，并且已经在企业生产中得以应用。