激光与光电子学进展, 2020, 57 (5): 051403, 网络出版: 2020-03-05   

工艺参数对选区激光熔化中成形形变的影响 下载: 936次

Effect of Process Parameters on the Deformation of Selective Laser Melting
作者单位
上海电力大学能源与机械工程学院, 上海 200090
图 & 表

图 1. 零件摆放方式。(a)水平方向;(b)竖直方向

Fig. 1. Placement of part. (a) Horizontal direction; (b) vertical direction

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图 2. 竖直方向上不同β的形变

Fig. 2. Deformation of different β at vertical direction

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图 3. 水平方向上不同α的形变

Fig. 3. Deformation of different α at horizontal direction

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图 4. α=0°、β=90°的热应力模拟结果

Fig. 4. Thermal stress simulation of α=0°,β=90°

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图 5. 相同角度的切割前、后的形变

Fig. 5. Deformation before and after cutting with the same angle

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图 6. 两组实验的结果。(a) β=0°;(b) α=45°

Fig. 6. Experimental results of two groups. (a) β=0°; (b) α=45°

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表 1加工参数

Table1. Machining parameters

Layer thicknessL1 /mmSlicing stripewidth L2 /μmHatch spacingL3 /μmPower P /WScanning speedv /(mm·s-1)Baseplatetemperature T /℃
0.04820029586060

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表 2材料参数

Table2. Material parameters

PowderabsorptivitySolidabsorptivityThermal expansioncoefficient α /K-1Elastic ratioE /GPaPoissonratioMaterial yieldstrength R /MPa
0.760.450.00001651850.25530

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表 3不同倾斜角度下的最大形变

Table3. Maximum deformation at different angles

β /(°)Maximum deformation /(10-2 mm)
a=0°a=15°a=30°a=45°a=60°a=75°a=90°
02.37692.16602.16262.16062.16922.16872.1639
152.68022.15642.15572.14542.15442.15532.1503
302.81572.17522.16722.16702.16722.16882.1668
452.72252.18022.16722.16352.16382.16592.1636
602.20962.18432.16832.16012.16352.16322.1641
751.95152.18632.16832.15732.16362.16412.1642
901.54912.18032.16562.16132.16392.16392.1639

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表 4β=0°时的最大形变

Table4. Maximum deformation at β=0°

α /(°)0153045607590
Deformation /(10-2 mm)5.0385.0365.0345.0195.0245.0255.026

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表 5α=45°时的最大形变

Table5. Maximum deformation at α=45°

β /(°)0153045607590
Deformation /(10-2 mm)5.0195.0075.0095.0155.0185.0205.021

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吴懋亮, 孙翰霆, 孙玄锴, 刘中俊, 李汝润. 工艺参数对选区激光熔化中成形形变的影响[J]. 激光与光电子学进展, 2020, 57(5): 051403. Maoliang Wu, Hanting Sun, Xuankai Sun, Zhongjun Liu, Rurun Li. Effect of Process Parameters on the Deformation of Selective Laser Melting[J]. Laser & Optoelectronics Progress, 2020, 57(5): 051403.

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