红外与激光工程, 2016, 45 (5): 0520005, 网络出版: 2016-06-12
In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As雪崩光电二极管的数值模拟研究
Numerical simulation study on In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As avalanche photodiode
基本信息
| DOI: | 10.3788/irla201645.0520005 |
| 中图分类号: | TN215 |
| 栏目: | 光电器件与微系统 |
| 项目基金: | 国家重点基础研究发展计划(2011CBA00608, 2012CB619203, 2015CB351902, 2015CB932402)、国家科技重大专项计划(2011ZX01015-001)、国家自然科学基金(61036010, 61177070, 11374295, U1431231 |
| 收稿日期: | 2015-09-21 |
| 修改稿日期: | -- |
| 网络出版日期: | 2016-06-12 |
| 通讯作者: | 李慧梅 (lihuimei@semi.ac.cn) |
| 备注: | -- |
李慧梅, 胡晓斌, 白霖, 李晓敏, 于海龙, 徐云, 宋国峰. In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As雪崩光电二极管的数值模拟研究[J]. 红外与激光工程, 2016, 45(5): 0520005. Li Huimei, Hu Xiaobin, Bai Lin, Li Xiaomin, Yu Hailong, Xu Yun, Song Guofeng. Numerical simulation study on In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As avalanche photodiode[J]. Infrared and Laser Engineering, 2016, 45(5): 0520005.
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