高功率高可靠性9XX nm激光二极管 
下载： 1170次
High-Power and High-Reliability 9XX-nm Laser Diode
1 中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程中心, 北京 100083
2 中国科学院大学材料科学与光电技术学院, 北京 100049
图 & 表
图 1. 半导体激光二极管P-I-V特性曲线
Fig. 1. Semiconductor laser diode P-I-V characteristic curves
下载图片 查看原文
图 2. 最大输出功率时的光谱
Fig. 2. Spectrum at maximum output power
下载图片 查看原文
图 3. 半导体激光二极管的阈值电流同温度的关系
Fig. 3. Relationship between threshold current and temperature of semiconductor laser diode
下载图片 查看原文
图 4. 半导体激光二极管峰值波长随温度的变化
Fig. 4. Semiconductor laser diode peak wavelength versus temperature
下载图片 查看原文
图 5. 9XX nm激光二极管老化特性曲线
Fig. 5. 9XX nm laser diode aging characteristic curve
下载图片 查看原文
表 1激光二极管外延结构参数
Table1. Parameters of laser diode epitaxial structure
| Layer order | Name | Material | Thickness /μm | Doped /cm-3 |
|---|
| 12 | Ohmic contact | P-GaAs | 0.25 | Be, 0.1×1019--2.0×1019 | | 11 | Upper confinement | P-Al0.3Ga0.7As | 1.3 | Be, ~1.0×1018 | | 10 | Upper waveguide | Al0.255Ga0.745As | 0.3 | Not doped | | 9 | High gap layer | GaAsP | 0.02 | Not doped | | 8 | Barrier | Al0.154-0.255Ga0.846-0.745As | 0.04 | Not doped | | 7 | Active region | AlGaInAs | 0.008 | Not doped | | 6 | Barrier | Al0.154-0.255Ga0.846-0.745As | 0.04 | Not doped | | 5 | High gap layer | GaAsP | 0.02 | Not doped | | 4 | Lower waveguide | Al0.255Ga0.745As | 0.3 | Not doped | | 3 | Lower confinement | N-Al0.3Ga0.7As | 2.55 | Si, ~1.0×1018 | | 2 | Transition layer | N-Al0.15-0.3Ga0.85-0.7As | 0.18 | Si, ~1.0×1018 | | 1 | Buffer layer | N-GaAs | 0.35 | Si, ~1.0×1018 | | 0 | Substrate | N-GaAs | 350 | — |
|
查看原文
袁庆贺, 井红旗, 仲莉, 刘素平, 马骁宇. 高功率高可靠性9XX nm激光二极管[J]. 中国激光, 2020, 47(4): 0401006. Yuan Qinghe, Jing Hongqi, Zhong Li, Liu Suping, Ma Xiaoyu. High-Power and High-Reliability 9XX-nm Laser Diode[J]. Chinese Journal of Lasers, 2020, 47(4): 0401006.
PDF全文
