半导体光电, 2015, 36 (2): 205, 网络出版: 2015-06-25
2 μm InGaAsSb/AlGaAsSb应变补偿量子阱结构的数值研究
Numerical Study on 2μm InGaAsSb/AlGaAsSb Strain-compensated Quantum Wells
基本信息
| DOI: | -- |
| 中图分类号: | TN248.4 |
| 栏目: | 光电器件 |
| 项目基金: | 国家自然科学基金项目(61006039、61370043). |
| 收稿日期: | 2015-07-10 |
| 修改稿日期: | -- |
| 网络出版日期: | 2015-06-25 |
| 通讯作者: | 安宁 (anning4252@126.com) |
| 备注: | -- |
安宁, 刘国军, 刘超, 李占国, 刘鹏程, 魏志鹏, 方玄, 马晓辉. 2 μm InGaAsSb/AlGaAsSb应变补偿量子阱结构的数值研究[J]. 半导体光电, 2015, 36(2): 205. AN Ning, LIU Guojun, LIU Chao, LI Zhanguo, LIU Pengcheng, WEI Zhipeng, FANG Xuan, MA Xiaohui. Numerical Study on 2μm InGaAsSb/AlGaAsSb Strain-compensated Quantum Wells[J]. Semiconductor Optoelectronics, 2015, 36(2): 205.
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