半导体光电, 2015, 36 (2): 205, 网络出版: 2015-06-25
2 μm InGaAsSb/AlGaAsSb应变补偿量子阱结构的数值研究
Numerical Study on 2μm InGaAsSb/AlGaAsSb Strain-compensated Quantum Wells
应变补偿 临界厚度 能带结构 增益 阈值电流 InGaAsSb/AlGaAsSb InGaAsSb/AlGaAsSb strain-compensated critical thickness band structure gain threshold current
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