2 μm InGaAsSb/AlGaAsSb应变补偿量子阱结构的数值研究

安宁; 刘国军; 刘超; 李占国; 刘鹏程; 魏志鹏; 方玄; 马晓辉

半导体光电, 2015, 36 (2): 205, 网络出版: 2015-06-25

2 μm InGaAsSb/AlGaAsSb应变补偿量子阱结构的数值研究

Numerical Study on 2μm InGaAsSb/AlGaAsSb Strain-compensated Quantum Wells

安宁 ^*刘国军刘超李占国刘鹏程魏志鹏方玄马晓辉

作者单位

长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室, 长春 130022

图 & 表

安宁, 刘国军, 刘超, 李占国, 刘鹏程, 魏志鹏, 方玄, 马晓辉. 2 μm InGaAsSb/AlGaAsSb应变补偿量子阱结构的数值研究[J]. 半导体光电, 2015, 36(2): 205. AN Ning, LIU Guojun, LIU Chao, LI Zhanguo, LIU Pengcheng, WEI Zhipeng, FANG Xuan, MA Xiaohui. Numerical Study on 2μm InGaAsSb/AlGaAsSb Strain-compensated Quantum Wells[J]. Semiconductor Optoelectronics, 2015, 36(2): 205.