1 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室, 低维半导体材料与器件北京市重点实验室, 北京 100083
2 北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室, 北京 100871
3 格拉斯哥大学物理学院, 格拉斯哥G12 8LT, 英国
采用两段式被动锁模激光器结构, 利用隧道结级联两组量子阱有源区, 实现了一种工作在近红外波段的单片集成大功率量子阱被动锁模激光器。对该锁模激光器的锁模特性进行了表征, 测试得到该锁锁模激光器工作中心波长为1038 nm, 激光脉冲重复频率为24.37 GHz, 改变激光器的工作条件, 其脉冲宽度变化范围为2.19~9.27 ps, 峰值功率变化范围为76~308 mW, 表明该锁模激光器具有单片集成、体积小、功率大、重复频率高等优良特性。同时, 在一定的反向偏压条件下, 该锁模激光器呈现出功率双稳态的特性, 扩大了有效锁模范围。
激光器 锁模激光器 半导体激光器 多量子阱 超快激光
1 北京工业大学 光电子技术省部共建教育部重点实验室, 北京 100124
2 邓迪大学 工程物理和数学学院, 邓迪DD14HN
3 集成光电子学国家重点联合实验室, 北京 100083
4 华侨大学 信息科学与工程学院, 福建 厦门 361021
研究了离子辅助沉积(IBAD)电子束蒸发和传统电子束蒸发两种镀膜方式在Si（100）面基底所镀SiO2光学薄膜的特性。特别是在离子辅助沉积下, 分析了不同工艺条件改变对SiO2光学薄膜的光学特性的影响。结果表明, 无论表面形貌、折射率均匀性, 还是湿度稳定性, 离子辅助电子束蒸发都优于传统电子束蒸发的SiO2光学薄膜, 在离子辅助沉积条件下, 薄膜折射率在40～160℃范围随衬底温度的升高而提高, 镀膜时真空度为1.5×10-3Pa、沉积速率为5nm/s、离子源驱动电压为285.4V、离子源辅助气体分压比PAr∶PO=1∶1时, SiO2光学薄膜的光学特性最好。
光学薄膜 电子束蒸发 离子辅助沉积(IBAD) 折射率 optical thin film electron beam evaporation IBAD refractive index
1 中国科学院半导体研究所, 北京 100083
2 邓迪大学工程物理和数学学院， 英国邓迪 DD1 4HN
3 都灵理工大学电子与通信系， 意大利都灵 10129
4 北京工业大学， 光电子技术省部共建教育部重点实验室， 北京 100124
5 集成光电子学国家重点联合实验室, 北京 100083
超短脉冲激光源在光纤通信、生物医学成像等方面具有重要的应用前景。半导体锁模激光器具有体积小、重量轻、效率高、价格便宜等一系列优点。因此半导体锁模激光器成为超短脉冲激光源的理想选择。通过对400 nm～2 μm范围各个波段半导体锁模激光器的最新研究报道进行分析和总结，全面介绍了半导体锁模激光器的研究进展。
激光器 半导体 模式锁定 超短脉冲 激光与光电子学进展
2013, 50(5): 050001
