北京工业大学 光电子技术省部共建教育部重点实验室, 北京 100124
提出了一种基于腔面非注入区的新型窗口结构, 通过腐蚀高掺杂欧姆接触层, 在腔面附近引入电流非注入区, 限制载流子注入腔面, 减少载流子在腔面处的非辐射复合, 提高了激光器腔面的光学灾变性损伤(COD)阈值。同时, 引入脊型波导结构, 降低了光束的水平发散角。采用该结构制作的器件在功率达到22W时仍未出现COD现象, 而无腔面非注入区结构的器件输出功率达到18W时腔面发生COD。同时, 采用该结构制作的器件在工作电流为12A时其光束的水平发散角约为10°, 而常规电流非注入区结构的器件在相同的工作电流下其光束水平发散角约为15°。
电流非注入区 脊型波导 光学灾变性损伤 发散角 non-injection regions ridge waveguide catastrophic optical damage (COD) divergence angle
1 北京工业大学 光电子技术省部共建教育部重点实验室, 北京 100124
2 邓迪大学 工程物理和数学学院, 邓迪DD14HN
3 集成光电子学国家重点联合实验室, 北京 100083
4 华侨大学 信息科学与工程学院, 福建 厦门 361021
研究了离子辅助沉积(IBAD)电子束蒸发和传统电子束蒸发两种镀膜方式在Si（100）面基底所镀SiO2光学薄膜的特性。特别是在离子辅助沉积下, 分析了不同工艺条件改变对SiO2光学薄膜的光学特性的影响。结果表明, 无论表面形貌、折射率均匀性, 还是湿度稳定性, 离子辅助电子束蒸发都优于传统电子束蒸发的SiO2光学薄膜, 在离子辅助沉积条件下, 薄膜折射率在40～160℃范围随衬底温度的升高而提高, 镀膜时真空度为1.5×10-3Pa、沉积速率为5nm/s、离子源驱动电压为285.4V、离子源辅助气体分压比PAr∶PO=1∶1时, SiO2光学薄膜的光学特性最好。
光学薄膜 电子束蒸发 离子辅助沉积(IBAD) 折射率 optical thin film electron beam evaporation IBAD refractive index
