1 西安理工大学自动化与信息工程学院，西安 710048
2 中科钢研节能科技有限公司，北京 100081
3 西安市电力电子器件与高效电能变换重点实验室, 西安 710048
PVT法生长SiC单晶生长腔的温场分布是影响晶体质量的重要因素。采用数值模拟研究了保温层和坩埚结构以及线圈位置对6英寸SiC晶体生长温场的影响，优化出了适合高品质6英寸SiC晶体生长温场分布，在此条件下生长无裂纹的6英寸N型4H-SiC晶体。用高分辨率X射线衍射、拉曼光谱和缺陷检测系统对所加工的SiC衬底片的质量进行了表征。测试结果表明，晶型为单一的4H-SiC，微管密度小于1 cm-2，电阻率范围为0.02~0.022 Ω?cm，X射线摇摆曲线半高宽为21.6″。
PVT 法 6英寸N型4H-SiC 数值模拟 温场分布 晶体品质 PVT method 6-inch N-type 4H-SiC numerical simulation temperature distribution crystal quality
北京工业大学 光电子技术省部共建教育部重点实验室, 北京 100124
提出了一种基于腔面非注入区的新型窗口结构, 通过腐蚀高掺杂欧姆接触层, 在腔面附近引入电流非注入区, 限制载流子注入腔面, 减少载流子在腔面处的非辐射复合, 提高了激光器腔面的光学灾变性损伤(COD)阈值。同时, 引入脊型波导结构, 降低了光束的水平发散角。采用该结构制作的器件在功率达到22W时仍未出现COD现象, 而无腔面非注入区结构的器件输出功率达到18W时腔面发生COD。同时, 采用该结构制作的器件在工作电流为12A时其光束的水平发散角约为10°, 而常规电流非注入区结构的器件在相同的工作电流下其光束水平发散角约为15°。
电流非注入区 脊型波导 光学灾变性损伤 发散角 non-injection regions ridge waveguide catastrophic optical damage (COD) divergence angle
