以硅酸盐为基质的白光LED用荧光粉, 具有原料丰富、成本低廉、合成工艺简单、组成多样、发光可调等优点, 是当前研究的热点。助熔剂在硅酸盐荧光粉制备过程中起到了至关重要的作用。本文介绍了硅酸盐荧光粉体系中助熔剂的使用情况, 助熔剂类别和用量对荧光粉的晶相、发光强度和形貌都有一定的影响。添加不同的助熔剂以及同类不同量的助熔剂会使硅酸盐荧光粉形成不同的晶相种类; 助熔剂阳离子围绕在激活剂离子周围, 引起发光中心的数量变化, 从而改变发射光谱形状并能很大程度提高发光强度, 但是过量的助熔剂则会降低荧光粉的发光强度; 助熔剂用量对荧光粉表面形貌影响明显, 适量的助熔剂能细化晶粒, 使晶粒尺寸均匀, 晶粒球化, 但是助熔剂过量则会使样品结块。加强荧光粉制备过程中助熔剂的机理研究, 选择合适的助熔剂及其用量, 是合成高性能荧光粉的关键。

设计了一种基于亚波长光栅的具有高集成度、高耦合效率的垂直光耦合器,在1.5~1.6 μm波长范围内实现了大于97%的耦合效率,且器件长度仅为15 μm,是传统基于绝热拉锥波导的垂直耦合器尺寸的十分之一,提高了系统的集成度。在亚波长光栅占空比、拉锥波导尖端尺寸以及波导错位方面,所设计的耦合器均具有较大的工艺误差容限,在异质集成领域展现出了良好的应用前景。

PVT法生长SiC单晶生长腔的温场分布是影响晶体质量的重要因素。采用数值模拟研究了保温层和坩埚结构以及线圈位置对6英寸SiC晶体生长温场的影响，优化出了适合高品质6英寸SiC晶体生长温场分布，在此条件下生长无裂纹的6英寸N型4H-SiC晶体。用高分辨率X射线衍射、拉曼光谱和缺陷检测系统对所加工的SiC衬底片的质量进行了表征。测试结果表明，晶型为单一的4H-SiC，微管密度小于1 cm-2，电阻率范围为0.02~0.022 Ω?cm，X射线摇摆曲线半高宽为21.6″。

采用高温固相法合成了Sr2.95SiO5:0.05Eu荧光粉,借助X射线衍射仪、光谱仪、激光粒度仪、扫描电子显微镜等分析测试方法分别对荧光粉的晶相、激发与发射光谱、粒度分布、表面形貌等进行了表征,进而分析了坩埚的加盖工艺对产物性能的影响.实验结果显示：随着坩埚严密程度的增加,产物在蓝光激发下的发光强度增大.坩埚加盖有利于得到Sr3SiO5相纯度高的产物.加盖后,得到的样品颗粒尺寸较大,但是粒径分布均匀.

提出一种被动式人体太赫兹安检仪的图像目标标注方法，用于辅助识别被安检人员隐藏携带的违禁物品。分析了探测器中心频率为0.1 THz的被动式太赫兹人体安检仪图像特点，根据其特点进行图像增强、分割、轮廓提取等处理，进而实现图像中的目标检测，将其目标位置映射在同场景同时间采集的可见光图像上。实验结果表明，该方法可以有效地提取并标示可疑目标，帮助快速发现衣物下的隐匿物品，提高太赫兹安检仪的实用性。

从麦克斯韦方程组和导热微分方程出发，导出了3维多级感应线圈炮电磁场、温度场分布的基本方程，并以电磁场和温度场有限元分析为基础，建立了3维有限元分析模型，忽略级间的相互影响，多级线圈炮中电枢温升可以等效为多个单级电枢的温升，运用通用有限元分析软件ANSYS的耦合计算流程，对单级感应线圈炮中电枢电磁场和温度场进行仿真。计算中考虑了材料物理参数随温度变化对温度场的影响。仿真结果表明：电枢内的温升主要分布在电枢的外表面和尾部；电枢的温度随着电容器组电压和电容增加而升高，这是因为总能量增大，电枢中涡流也增大，从而电枢的温度升高；电枢的触发位置和速度匹配关系，也会对电枢温升造成很大的影响;电枢的温度随着级数的增加逐渐升高，说明电枢在一定级数后达到了材料的熔点而被破坏。