1 西安理工大学自动化与信息工程学院，西安 710048
2 中科钢研节能科技有限公司，北京 100081
3 西安市电力电子器件与高效电能变换重点实验室, 西安 710048
PVT法生长SiC单晶生长腔的温场分布是影响晶体质量的重要因素。采用数值模拟研究了保温层和坩埚结构以及线圈位置对6英寸SiC晶体生长温场的影响，优化出了适合高品质6英寸SiC晶体生长温场分布，在此条件下生长无裂纹的6英寸N型4H-SiC晶体。用高分辨率X射线衍射、拉曼光谱和缺陷检测系统对所加工的SiC衬底片的质量进行了表征。测试结果表明，晶型为单一的4H-SiC，微管密度小于1 cm-2，电阻率范围为0.02~0.022 Ω?cm，X射线摇摆曲线半高宽为21.6″。
PVT 法 6英寸N型4H-SiC 数值模拟 温场分布 晶体品质 PVT method 6-inch N-type 4H-SiC numerical simulation temperature distribution crystal quality
