作者单位
摘要
中国科学院上海光机所, 上海 201800
研究了在双光子共振条件下,Ba蒸气中放大自发辐射(ASE)与参量四波混频(PFWM)的竞争过程,其机制可归结为ASE与PFWM之间的干涉相消。
双光子共振 干涉相消 钡蒸气 
中国激光
1995, 22(7): 519
作者单位
摘要
激光与光电子学进展
1993, 30(11): 9
作者单位
摘要
中国科学院上海光学精密机械研究所, 上海 201800
本文报道由四台染料激光器组成的四波长染料激光系统、测量了四个波长激光合束后的激光参量和时间特性,简要地讨论了影响有效染料激光功率的诸因素.本系统输出总功率8.9W.
染料激光 
光学学报
1992, 12(8): 684
作者单位
摘要
激光与光电子学进展
1992, 29(4): 8
作者单位
摘要
中国科学院上海光机所, 上海 201800
本文报道CVL泵浦染料激光振放系统的实验研究。详细测量了染料激光的性能,如线宽、功率、效率、脉宽、调谐范围、光谱纯度和光束质量等。对于Rh6G染料,染料激光输出平均功率达6.7 W。
染料激光 铜蒸气激光 
中国激光
1992, 19(7): 481
作者单位
摘要
中国科学院上海光机所
<正>欲在振荡器获得较大的峰功率(或能量),则腔内损耗元件(如F-P标准具等等)不能过多;而要使激光线宽变窄,则因增加腔内损耗元件而加大腔内损耗.即欲从振荡器里同时获得高峰功率(或能量)和窄线宽是相互矛盾的.解决此问题有两个途径:一是采用增加放大级的方法;二是采用注入锁定技术的方法.我们采用前一种方法.参考文献[1],研制了染料激光器振荡-预放大系统以及染料激光器振荡-预放大-放大系统,用XeCl准分子激光作为泵浦源,对它们的参数与性能分别进行了测试和讨论.
中国激光
1988, 15(1): 47
作者单位
摘要
在半导体工业中,当今的趋势是对芯片制作技术提出更加严格的要求。较高的芯片密度要求更小的特征尺寸:在1990年前,达到0.5微米尺寸该是很平常的事情。此外,现代集成电路要求较浅深度的结构。亚微米金属氧化物半导体技术需要0.1 μm量级的结深度。
激光与光电子学进展
1987, 24(6): 9
作者单位
摘要
1 中国科学院上海光机所
2 中国科学院化学研究所
测量了XeCl准分子激光泵浦的DCM-丙二醇碳酸酯染料激光体系的能量输出和光谱特性。所得结果表明,与DCM-二甲基亚砜染料体系相比较,它的能量转换效率较低,但调谐范围更宽。
中国激光
1987, 14(12): 731
作者单位
摘要
1 中国科学院上海光学精密机械研究所
2 上海科技大学物理系
用腔长为7.5cm~20cm的紫外光预电离Blumlein横向放电泵浦XeCl准分子激光器可产生半宽为1.8ns~5ns的短脉冲输出。速率方程的计算机模拟所给出的激光振荡初始尖峰和实验结果做了比较。
阻尼弛豫振荡 短谐振腔 准分子激光 
光学学报
1987, 7(11): 969
作者单位
摘要
1 中国科学院上海光机所
2 上海科技大学
本文报道XeCl准分子激光泵浦若丹明6G乙二醇溶液的窄带可调谐染料激光的实验结果。调谐激光线宽0.004nm,调谐范围为572.7~612.9nm,激光转换效率16.0%。同时也报道了其他七种染料的调谐实验结果。
中国激光
1986, 13(3): 161

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