1 中国科学院上海技术物理研究所, 上海200083
2 中国科学院研究生院, 北京100039
使用Bridgman法生长的PbTe0.92Se0.08材料在硅衬底上沉积硒碲铅薄膜, 采用X射线衍射(XRD)、电子扫描显微术(SEM)、能量散射X射线分析(EDAX)对薄膜的结构、表面形貌和化学配比进行了分析.结果表明, 沉积的硒碲铅薄膜为多晶结构, 具有明显的择优取向, 晶粒为矩形.衬底温度对硒碲铅薄膜的红外光学性能有明显的影响, 薄膜的折射率在5.2到5.8之间, 消光系数均小于0.1, 在波长大于6 μm的红外光谱范围, 一定衬底温度沉积的薄膜消光系数具有10-3量级.研究表明, 硒碲铅材料在红外光学薄膜领域具有应用前景.
硒碲铅(PbTe1-xSex) 光学常数 衬底温度 择优取向 lead tellurium selenide(PbTe1-xSex) optical constants substrate temperature preferred orientation
中国科学院上海技术物理研究所, 上海 200083
锗和一氧化硅是中波红外区域通常使用的薄膜材料, 研究这些材料的特性, 找到最佳制备工艺并拟合出材料的光学常数, 是设计制备中波红外光学薄膜的关键。最佳工艺条件下, 选用以上两种材料, 以蓝宝石为基底, 设计并制备出中心波长为3.5 μm, 相对带宽4.8%的三腔带通滤光片, 其通带透过率可达80%。经光谱测试和环境可靠性实验结果表明, 该中波红外带通滤光片满足工程使用要求。
薄膜 中波红外 锗和一氧化硅 材料的特性
中国科学院上海技术物理研究所, 上海 200083
提出了一种新的电致变色薄膜的锂化方法"通过电子枪蒸镀锂单质,提高了锂的离化率,从而提高了锂化效果。采用此技术研制的全固态电致变色薄膜器件获得了较好的变色特性,透射式和反射式全固态电致变色薄膜器件的变色性能分别为50%～5%和70%～20%。
电致变色 锂化 全固态电致变色薄膜器件
中国科学院上海技术物理研究所, 上海 200083
介绍了WO3电致变色薄膜的变色机理和制备工艺，对WO3薄膜的电阻率，结构，化学组分，电化学特性和变色性能等特性进行了研究，提出了WO3薄膜的一种新的锂化方法，这种方法对进一步研制全固态电致变色薄膜器件是十分关键的。
WO3薄膜 电致变色 锂化
本文分析了最常见的影响旋转检偏器式椭偏仪准确度的两个因素.提出了改进的测量方法和测量结果的修正公式,提高了测量准确度并为实验所证实.
椭圆偏振测量 偏振光
