为了改善有机电致发光器件的性能，利用CsN3作为N掺杂剂，以B3PYPPM为电子传输材料，制备了基于绿色磷光材料Ir(ppy)3的高效率有机电致发光器件。针对不同N掺杂浓度和掺杂厚度的器件进行研究，最终得到最佳N掺杂器件B，器件结构为ITO/HAT-CN(5 nm)/TAPC(70 nm)/TCTA∶Ir(ppy)3(15%,20 nm)/B3PYPPM(17 nm)/B3PYPPM∶CsN3(10%,63 nm)/Al。实验结果表明，浓度与厚度适当的N掺杂器件能有效提高器件的电流效率和功率效率。CsN3作为一种高效的N掺杂剂，与电子传输材料B3PYPPM掺杂后，有效地降低了电子的注入势垒，增加了电子注入，提高了电子迁移率，改善了电子的注入和传输能力，使载流子更加平衡，从而降低了器件的开启电压和驱动电压，有效地提高了电流效率和功率效率。最佳N掺杂器件B开启电压仅为2.1 V，最大电流效率和功率效率分别为67.0 cd/A、91.1 lm/W。值得注意的是，在1 000 cd/m2亮度下，最佳N掺杂器件B的功率效率仍能达到80.1 lm/W。

为了能够有效地提高电子的注入和传输能力, 改善有机电致发光器件的性能, 本文利用CsN3作为n型掺杂剂, 对有机电子传输材料Bphen进行n型电学掺杂, 制备了结构为ITO/MoO3(2 nm)/NPB(50 nm)/Alq3(30 nm)/Bphen(15 nm)/Bphen∶CsN3(15 nm,x%, x=10,15,20)/Al(100 nm)的器件。实验结果表明, CsN3是一种有效的n型掺杂剂, 以掺杂层Bphen∶CsN3 作为电子传输层, 可以有效地降低电子的注入势垒, 改善器件的电子注入和传输能力, 从而降低器件的开启电压, 同时提高了器件的亮度和发光效率。在掺杂浓度为10%时器件的性能最优, 开启电压仅为2.3 V, 在7.2 V的驱动电压下, 达到最大亮度29 060 cd/m2, 是非掺杂器件的2.5倍以上。当驱动电压为6.6 V时, 达到最大电流效率3.27 cd/A。而当掺杂浓度进一步提高时, 由于Cs扩散严重, 发光区形成淬灭中心, 造成器件的效率下降。