华东师范大学 信息科学技术学院 电子工程系, 上海 200062
对纳米级金属氧化物半导体场效应管器件提出了改进的小信号模型.该改进模型中综合考虑了馈线的趋肤效应和器件多胞结构的影响.提取过程中, 根据可缩放规律, 由传统模型的参数推导出元胞参数.将模型应用于8×0.6×12 μm (栅指数×栅宽×元胞数量)、栅长为90 nm的MOSFET器件在1~40 GHz范围内的建模, 测试所得S参数和模型仿真所得S参数能够高度地吻合.
半导体技术 小信号模型 模型参数提取 趋肤效应 多胞模型 semi-conductor technology small-signal model parameter extraction of model skin effect multi-cell model
