华东师范大学 信息科学技术学院 电子工程系, 上海 200062
对纳米级金属氧化物半导体场效应管器件提出了改进的小信号模型.该改进模型中综合考虑了馈线的趋肤效应和器件多胞结构的影响.提取过程中, 根据可缩放规律, 由传统模型的参数推导出元胞参数.将模型应用于8×0.6×12 μm (栅指数×栅宽×元胞数量)、栅长为90 nm的MOSFET器件在1~40 GHz范围内的建模, 测试所得S参数和模型仿真所得S参数能够高度地吻合.
半导体技术 小信号模型 模型参数提取 趋肤效应 多胞模型 semi-conductor technology small-signal model parameter extraction of model skin effect multi-cell model
苏州生物医学工程技术研究所, 江苏 苏州 215163
激光疗法是治疗血管性皮肤病最为便捷和可靠的方案。介绍了激光治疗血管性皮肤病的选择吸收原理及氧合血红蛋白的吸收峰位置，从而确定了激光波长的选择依据，阐述了418、542、577 nm波段医用全固体激光器的相关技术及发展现状，重点阐述了医用577 nm波段的5种激光技术：倍频、和频、受激拉曼散射(SRS)、光参量振荡器（OPO）及光抽运半导体(OPS)技术。指出了各种技术的优缺点及其医用前景。在和频技术中，提出了将薄片结构与端抽运结构相结合的新型医用578 nm黄光激光器的设计方案。
激光器 全固态激光器 氧合血红蛋白 和频 倍频 光抽运半导体技术 激光与光电子学进展
2012, 49(3): 030004
中科院上海技术物理研究所 中国科学院红外成像材料与器件重点实验室, 上海 200083
研究了碲镉汞富碲垂直液相外延技术.在研究该关键技术的过程中, 提出了一种方法以检查外延前(Hg1-x Cd x ) 1-y Te y 母液的均匀性.并且, 通过减小生长腔体中的自由空间, 对气体的对流和汞回流进行了抑制, 及通过改进 工艺过程中的温度控制方式来应对因对流和汞回流而造成的生长温度不确定性.在解决上述关键技术后, 实现了 碲镉汞垂直液相外延工艺的稳定性, 所外延的中波碲镉汞材料的组分可重复性做到了 ±0.005, 厚度控制能力达到 了±5μm , 40×30mm 2 外延材料的横向组分均匀性(相对均方差)小于1.3×10 -3 , 同生长批次材料片与片之间的组 分和厚度差异分别小于0.001和1μm.在10mm线度上, 表面起伏小于1μm.经热处理后, 中波汞空位p型材料在 77K下具有较高的空穴迁移率.另外, 和水平推舟技术相比, 垂直碲镉汞液相外延在提供大批量和大面积相同性能 材料方面具有明显的优势, 这对于二代碲镉汞红外焦平面批生产技术和拼接型超大规模红外焦平面技术的发展都 具有重要的意义.
半导体技术 碲镉汞外延材料 液相外延 垂直浸渍外延 semiconductor technique HgCdTe epitaxial materials liquid phase epitaxy dipping technique
1 华中科技大学电子与信息工程系,武汉,430074
2 华中科技大学光电子工程系,武汉,430074
设计并制作了1.55 μm偏振无关半导体光放大器腔面TiO2/SiO2多层减反膜,工艺过程中设计并使用了反射率实时监控装置,得到了低于5×10-4的腔面剩余反射率.器件测试结果表明,管芯在250 mA电流下仍处于未激射状态,表明减反膜有效抑制了芯片的激射.半导体光放大器的自发辐射(ASE)谱波动在0.4 dB以下,3 dB带宽大于52 nm,半导体光放大器小信号增益近27 dB,在1520～1580 nm波长范围内偏振灵敏度小于0.5 dB.
半导体技术 减反膜 偏振无关 半导体光放大器 反射率 Semiconductor technology Anti-reflection （AR） coating Polarization-insensitive Semiconductor optical amplifier
