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相同关键词【semiconductor technology】论文列表

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Research Articles

基于石墨烯-黑砷异质结构宽频段探测器

张力波 ¹张传胜 ²王林 ^3,*邢怀中 ^1,*

作者单位

摘要

¹ 东华大学理学院，上海 201620

² 中国电子科技集团公司第五十研究所，上海 200331

³ 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室，上海 200083

利用定点转移技术，制备出二维层状材料石墨烯-黑砷范德华异质结构的光电探测器制备，实现了从可见光-红外-微波的宽频段探测。其中在可见红外光辐射下，黑砷中产生的光激发电子-空穴对被分离并注入石墨烯，显著降低了半导体黑砷和金电极之间的势垒，从而实现了有效的光电流提取；在微波频段下，由于两种材料塞贝克系数差异产生光热电效应而激发非平衡载流子，零偏下形成光电流。研究结果为二维层状材料的带隙工程应用于光子和光电子领域铺平了道路。

半导体技术二维层状材料光电探测范德华异质结 semiconductor technology two-dimensional layered materials photodetection van der Waals heterojunction

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红外与毫米波学报

2021, 40(6): 778

高功率808nm AlGaAs/GaAs基半导体激光器巴条的热耦合特征

乔彦彬 ^*陈燕宁赵东艳张海峰

作者单位

摘要

北京南瑞智芯微电子科技有限公司, 北京 100192

利用红外热成像技术和有限元方法在实验和理论上研究了高功率808nm半导体激光器巴条热耦合特征, 给出了稳态和瞬态热分析, 呈现了详细的激光器巴条热耦合轮廓.发现器件稳态温升随工作电流呈对数增加, 热耦合也随之增加且主要发生在芯片级.另外, 作者利用热阻并联模型解释了芯片级热时间常数随工作电流减小的现象.

半导体技术热耦合特征红外热成像技术有限元高功率808nm AlGaAs/GaAs基半导体激光器巴条 semiconductor technology thermal crosstalk characteristics infrared thermography finite element method high-power 808 nm AlGaAs/GaAs laser diode bar

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红外与毫米波学报

2015, 34(1): 10

光学测量

1.55 μm偏振无关半导体光放大器腔面减反膜的研制

马宏 ^1,2朱光喜 ¹陈四海 ²易新建 ²

作者单位

摘要

¹ 华中科技大学电子与信息工程系,武汉,430074

² 华中科技大学光电子工程系,武汉,430074

设计并制作了1.55 μm偏振无关半导体光放大器腔面TiO₂/SiO₂多层减反膜,工艺过程中设计并使用了反射率实时监控装置,得到了低于5×10-4的腔面剩余反射率.器件测试结果表明,管芯在250 mA电流下仍处于未激射状态,表明减反膜有效抑制了芯片的激射.半导体光放大器的自发辐射(ASE)谱波动在0.4 dB以下,3 dB带宽大于52 nm,半导体光放大器小信号增益近27 dB,在1520～1580 nm波长范围内偏振灵敏度小于0.5 dB.