研究了InSb红外焦平面探测器的区域性过热盲元问题。通过故障分析以及有针对性的排查对比试验，排除了封装、胶水填充和划片等因素，并将故障定位在钝化工艺前。通过对钝化前的InSb材料片表面进行X射线光电子能谱测试，发现它含有Al和As等杂质元素，存在钝化前材料表面杂质含量较多的隐患。杂质元素在PN结的耗尽区形成杂质能级，加载电压后容易导致PN结漏电流较高，使I-V特性退化，从而形成过热盲元。通过缩短器具洗液的更换周期并且分隔使用多个生产线的器具，可以减少材料表面的杂质附着，使区域性过热盲元问题得到有效解决。

InAs/GaSb II类超晶格材料是第三代红外焦平面探测器的优选材料。报道了一种面阵规模为320×256、像元中心距为30 m的InAs/GaSb II类超晶格长波红外焦平面器件。在77 K时，该器件的平均峰值探测率为7.6×1010 cm?Hz1/2?W-1，盲元率为1.46%，响应非均匀性为7.55%，噪声等效温差(Noise Equivalent Temperature Difference, NETD)为25.5 mK。经计算可知，这种器件的峰值量子效率为26.2%，50%截止波长为9.1 m。最后对该器件进行了成像演示。结果表明，该研究为后续的相关器件研制奠定了基础。

锑化铟红外焦平面器件在杜瓦测试中常常会出现信号分层问题，由此影响器件制造的成品率。通过对器件杜瓦测试电平图、管芯电流电压测试结果及衬底掺杂浓度进行研究，找到了导致探测器信号分层的原因。进一步的理论分析表明，锑化铟衬底上局部的高浓度掺杂区域会对器件性能造成影响。基于此研究，在芯片的制备过程中可采取相应的措施，最大限度地避免后道工序中的无效工作，从而提高锑化铟焦平面器件工艺线的流片效率。

在长波红外波段,InAs/GaSb Ⅱ类超晶格材料具有比碲镉汞材料更优越的性能,因此得到了广泛研究。对InAs/GaSb Ⅱ类超晶格红外探测器芯片的背面减薄技术开展了一系列试验。针对<100>GaSb单晶片进行了单点金刚石机床精密加工、机械化学抛光和化学抛光方法研究,并去除了加工损伤。InAs/GaSb Ⅱ类超晶格红外器件的流片结果表明,长波探测器组件获得了较好的红外成像图片,提高了InAs/GaSb Ⅱ类超晶格长波红外探测器芯片的研制水平。