1 中国科学院上海技术物理研究所, 红外成像材料与器件重点实验室, 上海 200083
2 中国科学院研究生院, 北京 100049
对中波红外碲镉汞雪崩光电二极管(APD)特性进行理论计算, 获得材料的能量散射因子及电离阈值能级与材料特性的相互关系, 从而计算器件的理论雪崩增益与击穿电压 通过对材料特性(组分, 外延厚度, 掺杂浓度等)的优化, 设计并生长了适合制备PIN结构红外雪崩光电二极管的碲镉汞材料, 并进行了器件验证 结果显示, 在10 V反偏电压下, 该器件电流增益可达335.
碲镉汞 雪崩光电二极管 雪崩增益 击穿电压 HgCdTe avalanche photodiode(APD) gain breakdown voltage
