中国科学院 上海硅酸盐研究所, 上海 201800
采用V掺杂半绝缘6H-SiC单晶衬底材料制备了平面电极型大功率SiC光导开关，用强度为150 μJ/mm2、波长为355 nm的脉冲激光对开关进行触发，在1~14 kV的外加电压范围内对光导开关的耐压特性、导通电阻等性能进行了研究。结果表明: 随着开关外加电压的升高，开关的电流峰值呈现不断增大的趋势，当开关外加电压为14 kV时，电流峰值达185 A，对应的光导开关峰值功率为2.59 MW，开关的导通电阻约为22 Ω。
碳化硅 光导开关 导通电阻 峰值功率 silicon carbide photoconductive semiconductor switch on-state resistance peak power 强激光与粒子束
2014, 26(4): 045043
