作者单位
摘要
1 桂林电子科技大学 信息材料科学与工程系,广西 桂林541004
2 桂林电子科技大学 广西信息材料重点实验室,广西 桂林541004
采用直流磁控溅射工艺,在室温条件下制备了ZnO:Al(ZAO)薄膜,研究了Al掺杂量和溅射工艺参数等对ZAO薄膜光电性能的影响。结果表明:Al掺杂量和溅射工艺参数均对薄膜的电阻率有显著影响,在Al掺杂质量分数为3%、溅射功率为100 W以及Ar压强为1.5 Pa的条件下,室温溅射淀积的ZAO薄膜可获得1.4×10-3 Ω·cm的最小电阻率;Al掺杂量和工艺参数对薄膜的透光率均无明显的影响,薄膜的平均透光率在86~90%,但随Al掺杂量和溅射功率的增加,薄膜的截止吸收边均向短波长方向移动。对薄膜优值因子的分析表明,适合采用的Ar压强值在0.6~2.0 Pa.
氧化锌铝 透明导电薄膜 光电性能 磁控溅射 ZAO transparent conducting thin films electrical and optical properties magnetron sputtering 
液晶与显示
2009, 24(1): 52
作者单位
摘要
1 桂林电子科技大学 信息材料科学与工程系, 广西 桂林 541004
2 郑州铁路职业技术学院 机电系, 河南 郑州 450052
基于透明器件广阔的应用前景,p型透明导电材料及器件应用成为该领域研究的热点,并在近年来取得了令人瞩目的进展。综述了p型ZnO基氧化物、p型含铜氧化物、p型硫族化合物等透明导电材料及其器件应用的研究现状,重点介绍了近年来出现的p型掺杂的新方法、新机制及新材料的性能,并指出了今后的发展趋势和研究重点。
薄膜 透明导电材料 p型掺杂 器件 
激光与光电子学进展
2009, 46(9): 40
作者单位
摘要
1 桂林电子科技大学通信与信息工程系
2 桂林电子科技大学信息材料科学与工程系,广西桂林,541004
针对传统的虹膜采集系统采集距离短、采集不灵敏的情况,在设计中通过在光学系统光路中加入一个特殊设计的非球面位相掩膜板,对非相干波前进行编码,使光学系统的MTF在一定范围内对离焦变化不敏感,经后期的图像处理,得到清晰的图片.实验表明,这种技术在保持图像质量的情况下,增大了采集的距离,提高了采集速度.
虹膜识别 焦深扩大 位相掩膜板 采集 
光电子技术
2006, 26(4): 242

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