以MADN为空穴传输层, 主-客掺杂体系［Alq3∶0.7 Wt%rubrene］为发光兼电子传输层, 构建了双层结构的高效率黄绿光OLED器件。 该器件的黄绿光由主发光体Alq3通过不完全能量转移到客发光体rubrene实现, 电致发光峰值位于560 nm, 1931CIE色坐标为(0.46, 0.52), 最大发光效率达到了7.63 cd·A-1, 比相应的NPB做空穴传输层的双层结构器件提高了30%。 通过构建以MADN或NPB为空穴传输层的空穴单载流子器件并进行阻抗谱分析, 结果表明MADN可以作为一种非常有效的空穴传输层, 其空穴迁移性略低于NPB, 这恰好弥补了OLED器件中空穴迁移比电子迁移快这一缺陷, 为改善OLED发光层中载流子的平衡性创造了条件, 从而提高了器件的发光效率。 此外, MADN做空穴传输层的双层结构OLED的发光效率与传统三层结构器件(MADN和Alq3分别作为空穴传输层和电子传输层)基本相当, 表明了这种双层结构器件在简化器件结构的同时并不以牺牲发光效率为代价, 发光层［Alq3∶0.7 Wt%rubrene］兼具有优良的电子传输性能。

采用直流磁控溅射工艺,在室温条件下制备了ZnO:Al(ZAO)薄膜,研究了Al掺杂量和溅射工艺参数等对ZAO薄膜光电性能的影响。结果表明:Al掺杂量和溅射工艺参数均对薄膜的电阻率有显著影响,在Al掺杂质量分数为3%、溅射功率为100 W以及Ar压强为1.5 Pa的条件下,室温溅射淀积的ZAO薄膜可获得1.4×10-3 Ω·cm的最小电阻率;Al掺杂量和工艺参数对薄膜的透光率均无明显的影响,薄膜的平均透光率在86~90％,但随Al掺杂量和溅射功率的增加,薄膜的截止吸收边均向短波长方向移动。对薄膜优值因子的分析表明,适合采用的Ar压强值在0.6～2.0 Pa.

基于透明器件广阔的应用前景，p型透明导电材料及器件应用成为该领域研究的热点，并在近年来取得了令人瞩目的进展。综述了p型ZnO基氧化物、p型含铜氧化物、p型硫族化合物等透明导电材料及其器件应用的研究现状，重点介绍了近年来出现的p型掺杂的新方法、新机制及新材料的性能，并指出了今后的发展趋势和研究重点。