1 上海大学物理系 量子与分子结构国际中心, 材料基因研究院, 上海 200444
2 中科院上海微系统与信息技术研究所, 信息功能材料国家重点实验室, 上海 200050
3 深圳大学材料学院, 深圳市特种功能材料重点实验室, 深圳 518060
4 德国于利希研究中心, 于利希 52425,德国
在SiO2/Si(P++)衬底上制备了多层MoS2背栅器件并进行了测试.通过合理优化和采用10 nm SiO2 栅氧, 得到了良好的亚阈值摆幅86 mV/dec和约107倍的电流开关比.该器件具有较小的亚阈值摆幅和较小的回滞幅度, 表明该器件具有较少的界面态/氧化物基团吸附物.由栅极漏电造成的漏极电流噪声淹没了该器件在小电流(~10-13 A)处的信号, 限制了其开关比测量范围.基于本文以及前人工作中MoS2器件的表现, 基于薄层SiO2栅氧的MoS2器件表现出了良好的性能和潜力, 显示出丰富的应用前景.
MoS2场效应晶体管 良好的亚阈值斜率 SiO2栅介质 界面态密度 MoS2 FETs excellent subthreshold swing SiO2 dielectric interface state density
