1 上海大学物理系 量子与分子结构国际中心, 材料基因研究院, 上海 200444
2 中科院上海微系统与信息技术研究所, 信息功能材料国家重点实验室, 上海 200050
3 深圳大学材料学院, 深圳市特种功能材料重点实验室, 深圳 518060
4 德国于利希研究中心, 于利希 52425,德国
在SiO2/Si(P++)衬底上制备了多层MoS2背栅器件并进行了测试.通过合理优化和采用10 nm SiO2 栅氧, 得到了良好的亚阈值摆幅86 mV/dec和约107倍的电流开关比.该器件具有较小的亚阈值摆幅和较小的回滞幅度, 表明该器件具有较少的界面态/氧化物基团吸附物.由栅极漏电造成的漏极电流噪声淹没了该器件在小电流(~10-13 A)处的信号, 限制了其开关比测量范围.基于本文以及前人工作中MoS2器件的表现, 基于薄层SiO2栅氧的MoS2器件表现出了良好的性能和潜力, 显示出丰富的应用前景.
MoS2场效应晶体管 良好的亚阈值斜率 SiO2栅介质 界面态密度 MoS2 FETs excellent subthreshold swing SiO2 dielectric interface state density
1 中国科学院上海光学精密机械研究所强激光材料重点实验室， 上海 201800
2 中国科学院研究生院， 北京 100049
利用中心波长1064 nm、脉宽12 ns、重复频率5 Hz的NdYAG激光系统，对800 nm、0° Ta2O5/SiO2高反膜进行三种能量台阶数的激光预处理扫描改性；控制扫描速度使辐照脉冲能量重叠70%的峰值能量，辐照模式1-on-1。利用Ti：sapphire激光系统输出800 nm、135 fs超短脉冲激光进行损伤测试。结果表明，纳秒激光表面改性并未提高Ta2O5/SiO2膜飞秒激光诱导损伤阈值，三种台阶数的预处理改性均使Ta2O5/SiO2膜的阈值降低20%以上。说明缺陷(本征的或激光诱导产生的，如带间电子态)对氧化物介质膜的飞秒损伤过程有重要贡献，而这种贡献在样品经过纳秒激光改性后得以体现。
薄膜 缺陷 表面改性 Ta2O5/SiO2介质膜 飞秒激光诱导损伤 中国激光
2011, 38(s1): s103002
