为改善OLED器件的载子注入平衡，本文在其结构ITO/MoO3/NPB/Alq3/Cs2CO3/Al中，分别引入高电子迁移率材料Bphen及Bphen∶Cs2CO3作为电子传输层。通过改变Bphen的厚度以及Bphen中Cs2CO3的体积掺杂浓度，研究其对器件发光亮度、电流密度和效率等性能的影响。实验结果表明，采用Bphen或者Bphen∶Cs2CO3作为电子传输层，均能提高器件的电子注入能力，改善器件的性能。相比于未引入Bphen的器件，采用25 nm的Bphen作为电子传输层，改善了器件的电子注入，使器件的最大电流效率提高112%；采用体积掺杂浓度为15%，厚度为5 nm的Bphen∶Cs2CO3作为电子传输层，减小了电子注入势垒，使器件的最大电流效率提高27%，并且掺杂层厚度的改变对器件的电子注入影响很小。该方法可用于OLED器件的阴极修饰，对器件性能的提升将起到一定的促进作用。