景德镇陶瓷大学 材料科学与工程学院, 景德镇 333403
电子传输层是钙钛矿太阳能电池的关键部分, 起到阻挡空穴、传输电子和减少电子空穴复合的作用。本研究采用低温溶液法制备SnO2薄膜作为钙钛矿电池的电子传输层, 研究SnO2的退火温度对电子传输层微观形貌、物理性能以及钙钛矿太阳能电池性能的影响。结果表明: 当退火温度为60、90、120和240 ℃时, SnO2薄膜表面存在较多的孔隙; 而退火温度为150、180和210 ℃时, 薄膜表面孔隙较少。在实验温度下, 制备的SnO2薄膜为四方相, FTO玻璃上涂覆SnO2薄膜后其透过率要优于空白FTO玻璃的透过率。当SnO2退火温度为180 ℃时, 薄膜的电子迁移率最高, 钙钛矿电池具有最佳的传输电阻和复合电阻, 所得电池的性能最优, 其光电转换效率为17.28%, 开路电压为1.09 V, 短路电流为20.91 mA/cm2, 填充因子为75.91%。
1 特种显示技术教育部重点实验室，特种显示技术国家工程实验室，现代显示技术省部共建国家重点实验室培育基地，安徽 合肥 230009
2 合肥工业大学 光电技术研究院，安徽 合肥 230009
3 合肥工业大学 仪器科学与光电工程学院，安徽 合肥 230009
4 安徽华能电缆集团有限公司，安徽 无为 238371
为改善OLED器件的载子注入平衡，本文在其结构ITO/MoO3/NPB/Alq3/Cs2CO3/Al中，分别引入高电子迁移率材料Bphen及Bphen∶Cs2CO3作为电子传输层。通过改变Bphen的厚度以及Bphen中Cs2CO3的体积掺杂浓度，研究其对器件发光亮度、电流密度和效率等性能的影响。实验结果表明，采用Bphen或者Bphen∶Cs2CO3作为电子传输层，均能提高器件的电子注入能力，改善器件的性能。相比于未引入Bphen的器件，采用25 nm的Bphen作为电子传输层，改善了器件的电子注入，使器件的最大电流效率提高112%；采用体积掺杂浓度为15%，厚度为5 nm的Bphen∶Cs2CO3作为电子传输层，减小了电子注入势垒，使器件的最大电流效率提高27%，并且掺杂层厚度的改变对器件的电子注入影响很小。该方法可用于OLED器件的阴极修饰，对器件性能的提升将起到一定的促进作用。
电子传输层 electronic transport layer Bphen Bphen Cs2CO3 Cs2CO3 OLED OLED
