吉林大学 电子科学与工程学院 集成光电子学国家重点联合实验室，长春 130012
采用Li3N掺杂电子注入层Alq3∶Li3N，制作了一种结构为ITO/Alq3 Alq3∶Li3N/Alq3/NPB/MoO3/Al的倒置底发射有机发光器件.其中ITO玻璃作为透明阴极，金属Al作为顶部阳极，在ITO阴极与电子传输层之间加入Li3N n型掺杂层， 改善了该器件的电子注入和传输能力；在Al阳极与空穴传输层之间加入MoO3缓冲层，降低了Al阳极与NPB之间较大的空穴注入势垒，改善了空穴注入能力.实验表明:此结构的倒置底发射有机发光器件性能可达到传统结构的常用有机发光器件如ITO/NPB/Alq3/LiF/Al的性能，完全可以满足非晶硅薄膜晶体管有源有机发光器件中驱动电路的匹配及性能要求.
有机发光器件 倒置底发射结构 n型掺杂 势垒 Organic light-emitting device Inverted bottom emitting Li3N Li3N n-type doping Barrier
吉林大学 电子科学与工程学院 集成光电子学国家重点联合实验室，长春 130012
相对于传统的无机半导体材料，有机半导体材料特别是有机电子传输材料的载流子浓度和迁移率较低，从而影响了有机发光器件的亮度、效率等性能.为了提高有机发光器件器件性能必须增强电子注入和传输能力，对有机电子传输材料进行n型电学掺杂能够有效地提高电子的注入和传输能力.本文利用Li3N作为n型掺杂剂，以掺杂层Alq3∶Li3N作为电子注入层，有效地提高了有机发光器件器件的性能，在掺杂浓度为5%，掺杂层厚度为10 nm时器件性能表现为最优.Li3N在空气中稳定，并且在较低的温度和压强下能分解产生Li原子和氮气，避免了采用金属掺杂剂如Li、Cs等材料时易受空气中水分和氧气影响的缺点，有利于工艺处理.
有机发光器件 氮化锂 n型掺杂 电子注入层 Organic Light-Emitting Device (OLED) Lithium nitride n-type doped Electron injecting layer
1 吉林大学集成光电子学国家重点实验室，长春 130023
2 泉州师范学院物理系，泉州 362000
利用阱结构作为发光层，阱由8－羟基喹啉铝和4，4′－N，N′－dicarbazole－biphenyl交替蒸发长成，改善了器件的效率，这归因于增加空穴和电子在薄发光层的堆积，形成的激子有效地被限制在薄的发光层中发光．器件的最大电流效率在外加电压8V时达到4．1cd／A，与一般异质结器件相比效率提高了2倍多．这说明在适当阱数时用简单办法可提高器件的效率．
有机电致发光 阱结构 效率 Organic light-emitting devices Well structure Efficiency
1 吉林大学,集成光电子学国家重点实验室,吉林,长春,130023
2 泉州师范学院,物理系,福建,泉州,362000
利用BCP掺杂到电子传输层Alq中,在掺杂层中阻挡了空穴的迁移,调整了空穴和电子的平衡,将激子有效地限制在发光层中发光,从而增加有机电致发光器件的效率.器件的最大电流效率在外加电压9 V时达到4.1 cd/A(掺杂浓度8%时),与一般未掺杂器件相比效率提高了2倍多.同时也减少空穴到达阴极,而减少发光淬灭.
有机电致发光 掺杂 效率
