在富Te生长条件下，采用垂直布里奇曼法(vertical Bridgman method, VB)生长的部分碲锌镉 (Cdi—xZn”Te, CZT)晶体内存在导电类型转变界面。为深入探讨碲锌镉晶体导电类型转变界面形成的 原因，结合晶体导电类型和红外光谱透过率的测试结果与第一性原理的理论计算进行分析，结果表明， 碲锌镉晶体内的导电类型转变界面是晶体生长过程中形成的Cd空位(Vcd)缺陷与Cd间隙(CdJ缺 陷导致的。在富Te条件的生长过程中，Cd空位缺陷易于形成，碲锌镉晶体材料中含有大量的Cd空 位缺陷，材料的导电型为p型。在晶体生长结束阶段的降温过程中，Cd原子会扩散至碲锌镉晶体中， 促进了 Cd间隙缺陷的形成，在碲锌镉晶体材料中形成Cd间隙缺陷，导致晶体材料的导电性转变为n 型。

采用 Petritz双层薄膜结构模型, 用化学腐蚀的方法分离 MBE外延双色 HgCdTe薄膜, 测试并验证了双层模型对中短双色 MBE外延 HgCdTe薄膜中各层的霍尔参数计算的有效性, 给出了测量不确定度评定以及相对误差。实验表明, MBE外延双层 HgCdTe薄膜中的中波薄膜层电导率及霍尔系数的扩展不确定度范围分别为 0.33～0.41 .·cm和 61～113 cm3/C, 置信概率为 95%, 与对比样品的中波膜层霍尔参数相比, 载流子浓度及霍尔迁移率的相对误差分别小于 20%和 10%。

制作了 2种形式的铟凸点:即直接蒸发沉积的铟柱和将铟柱回流得到的铟球。分别讨论了铟柱和铟球对倒装互连的影响,着重讨论了铟球和铟柱分别和芯片倒装互连后的剪切强度,结果发现在互连未回流的状态下铟球的剪切强度是铟柱的 1.5倍,回流后铟球的剪切强度是铟柱的 2.8倍。此外,分析讨论了长时间放置在空气中的铟球对倒装互连的影响,结果发现长时间放置在空气中的铟球和芯片互连后,器件的电学与机械连通性能会受到很大的影响。