自行设计了基于8-羟基喹啉铒(ErQ)为发射层(EMLs)和二硝酰胺铵(ADN)为蓝光主体材料的近红外有机发光二级管.器件的基本结构为(p-Si/NPB/EML/Bphen/Bphen:Cs2CO3/Sm/Au)，设计并比较了三套不同发射层结构(ErQ/ADN为双层结构器件，(ErQ/ADN)×3为多层结构器件，ErQ：ADN为掺杂结构器件)的器件.三组器件在一定的偏压下，均可发出1.54 μm的光，对应三价铒离子4I13/2→4I15/2的跃迁.其中，ADN：ErQ(1∶1)掺杂结构的近红外电致发光强度是ADN /ErQ双层结构中的三倍.此外，不同掺杂浓度的ADN：ErQ复合膜做了以下表征：吸收谱、光致发光谱和荧光寿命谱.实验结果证实了在近红外电致发光过程中存在从ADN主体分子到ErQ发射分子的高效率的能量转移.

利用磁控溅射和热退火在硅衬底上制备了Ag纳米颗粒镶嵌的氧化硅薄膜(SiO2∶Ag)， 制作了电致发光结构ITO/SiO2∶Ag/p-Si， 观测到了可见区的电致发光。 发现薄膜中的Ag纳米颗粒不仅成倍地提高器件的发光强度， 还明显地移动电致发光的峰位。 Ag含量越高， 颗粒越大， 发光峰位越红移。 氧化硅中的发光中心与纳米Ag 间的电磁相互作用， 可用来定性解释这一实验结果。 这种效应可把低效发光的材料转换为相对高效的发光材料。

硅光子学中的关键问题是研制高效率的硅基光源， 文章为此提出了一种实现硅基发光的方法。 采用共溅射的方法在n+型重掺杂硅衬底上制备了富硅氧化硅(SiO2∶Si)薄膜，　然后用热扩散法进行了锰(Mn2+)掺杂和光学活化。 高分辨透射电镜观察表明薄膜中形成了3～5 nm的硅纳米晶体。 该薄膜在紫外光照射下发射出明亮的绿光， 光致发光谱峰位在524 nm(2.36 eV)， 一般认为这是来自Mn2+能级4T1 →6A1基态跃迁的绿光辐射； 其荧光寿命为0.8 ms。 将该掺锰富硅二氧化硅(SiO2∶Si∶Mn2+)做成电致发光结构， 在低反偏电压下观察到近乎白色的电致发光(EL)， 光谱范围覆盖了400～800 nm。 研究表明， 该电致发光谱来源于薄膜中的Mn2+以及氧化硅中的缺陷发光中心两者光谱的叠加； Mn2+的发光是靠薄膜中的热电子来激发的； 并由此探讨了薄膜中的硅纳米晶体在电致发光过程中的作用。