1 四川大学 材料科学与工程学院, 成都 610064
2 南车株洲电机有限公司, 湖南 株洲 412000
以SnCl4.5H2O和SbCl3为原料，采用液相化学共沉淀法制备锑掺杂氧化锡（ATO）粉体。分析了不同Sb掺杂质量分数条件下， ATO粉体的禁带宽度变化，并对材料在0.2~1.6THz波段的透射时域和频域谱，以及吸收和屏蔽参数进行了对比分析。结果表明，ATO粉体的禁带宽度随着Sb掺杂量的增加先减小后增大；同时，ATO粉体对THz波的吸收系数随着Sb掺杂量的增加先增大后减小，当Sb掺杂质量分数为9%时，ATO的吸收系数在1.25THz处达到最大值156.5cm-1，屏蔽效能在1.24~1.60THz范围内最高达到45.0 dB。
太赫兹 锑掺杂氧化锡 掺杂 禁带宽度 吸收 屏蔽 terahertz antimony doped tin oxide doping band gap absorption shielding
1 四川大学材料科学与工程学院, 四川 成都610064
2 电子科技大学物理电子学院太赫兹研究中心, 四川 成都610054
对sol-gel法制备的不同稀土元素(Ce, Nd, Sm)掺杂的纳米TiO2粒子进行研究。 X射线衍射(XRD)和X射线光电子能谱(XPS)分析结果表明, 稀土离子均以间隙的形式均匀分布在纳米TiO2晶格内。 傅里叶变换红外光谱(FTIR)和太赫兹时域光谱(THz-TDS)显示, 掺杂TiO2较纯TiO2具有更强的红外活性; 在0.2～1.70 THz波段, TiO2的折射率随着频率的增加而减小, 并呈现反常色散现象; Ce掺杂引起新的特征吸收, 分别为1.35和1.58 THz, 且造成太赫兹吸收谱的吸收边发生红移, Nd和Sm掺杂则造成吸收边蓝移。 在0.2～1.7 THz范围内, Sm掺杂引起的介电损耗角正切值(tanδe)最小, 其平均值为0.05。
太赫兹时域光谱技术 稀土掺杂纳米TiO2 吸收系数 介电损耗 Terahertz time-domain spectroscopy Lanthanide-doped nano-TiO2 Absorbance Dielectric losses 光谱学与光谱分析
2011, 31(10): 2624
