1 四川大学 材料科学与工程学院, 成都 610064
2 南车株洲电机有限公司, 湖南 株洲 412000
以SnCl4.5H2O和SbCl3为原料，采用液相化学共沉淀法制备锑掺杂氧化锡（ATO）粉体。分析了不同Sb掺杂质量分数条件下， ATO粉体的禁带宽度变化，并对材料在0.2~1.6THz波段的透射时域和频域谱，以及吸收和屏蔽参数进行了对比分析。结果表明，ATO粉体的禁带宽度随着Sb掺杂量的增加先减小后增大；同时，ATO粉体对THz波的吸收系数随着Sb掺杂量的增加先增大后减小，当Sb掺杂质量分数为9%时，ATO的吸收系数在1.25THz处达到最大值156.5cm-1，屏蔽效能在1.24~1.60THz范围内最高达到45.0 dB。
太赫兹 锑掺杂氧化锡 掺杂 禁带宽度 吸收 屏蔽 terahertz antimony doped tin oxide doping band gap absorption shielding
