1 四川大学 材料科学与工程学院, 成都 610064
2 南车株洲电机有限公司, 湖南 株洲 412000
以SnCl4.5H2O和SbCl3为原料，采用液相化学共沉淀法制备锑掺杂氧化锡（ATO）粉体。分析了不同Sb掺杂质量分数条件下， ATO粉体的禁带宽度变化，并对材料在0.2~1.6THz波段的透射时域和频域谱，以及吸收和屏蔽参数进行了对比分析。结果表明，ATO粉体的禁带宽度随着Sb掺杂量的增加先减小后增大；同时，ATO粉体对THz波的吸收系数随着Sb掺杂量的增加先增大后减小，当Sb掺杂质量分数为9%时，ATO的吸收系数在1.25THz处达到最大值156.5cm-1，屏蔽效能在1.24~1.60THz范围内最高达到45.0 dB。
太赫兹 锑掺杂氧化锡 掺杂 禁带宽度 吸收 屏蔽 terahertz antimony doped tin oxide doping band gap absorption shielding
1 四川大学材料科学与工程学院, 四川 成都610064
2 电子科技大学物理电子学院太赫兹研究中心, 四川 成都610054
用太赫兹时域光谱技术研究不同加热时间后水合TiO2在0.2～1 THz波段的THz时域谱、 频域谱、 吸收谱、 折射率谱和复介电常数。 结果表明水合TiO2在THz波段出现明显吸收峰, 随加热时间增加, 含水量降低, 吸收系数减小; 样品折射率变化位置与吸收峰位置相对应。 水合TiO2在太赫兹波中的电极化响应与频率不存在明显的关系, 介电损耗随频率的升高先降低后趋于稳定, 介电响应均随加热时间延长而减弱。
水合二氧化钛 太赫兹时域光谱技术 介电动力学 Hydrated TiO2 Terahertz time-domain spectroscopy (THz-TDS) Dielectric dynamics
