为寻找有效的电磁脉冲防护加固措施，首先对电磁脉冲模拟器的干扰路径进行分析，包括数字信号处理器(DSP)与放电回路的共地耦合干扰及共网电耦合干扰，并将结构优化设计、硬件屏蔽加固措施与设置软件陷阱、开启看门狗等抗干扰措施相结合，对数字信号处理器(DSP)内核工作电压、输入/输出(I/O)端口以及显示屏等进行了干扰测试。实验结果表明，采用硬件与软件相结合的防护加固技术后，DSP主板的内核工作电压及I/O端口的干扰脉冲幅值减小，且干扰持续时间由2 μs减少到400 ns，干扰脉冲获得了有效抑制。

针对重复频率电磁脉冲(EMP)干扰，以氢闸流管的栅极触发电路为研究对象，进行了氢闸流管悬置与共地两种不同的条件下氢闸流管第一栅极与第二栅极的电磁干扰研究。结果表明，两种条件下两个栅极均存在较强烈的电磁干扰，干扰主要来源于空间电磁辐射与共地耦合两个方面; 针对重复频率EMP环境下氢闸流管触发的可靠性，分别进行了不同重复频率EMP数量与不同重复频率EMP时间间隔下氢闸流管的输出实验。结果表明，两种情况均对氢闸流管的触发产生影响，重复频率EMP数量增多与间隔减小均使氢闸流管误触发的可能性增大，对比理论分析与实验结果，认为该现象是由于重复频率EMP累积效应与重复频率EMP高频分量增强从而导致交互作用耦合增强所引起。

针对传统变压器的局限，提出采用柔韧性好的同轴电缆和高导磁率的铁基非晶磁性材料绕制的1∶4阻抗变换的传输线变压器(TLTs)作为输出变换装置，并进行相关的实验研究。根据传输线理论及波的折反射分析了实际工程中的最佳匹配条件以及实际情况中阻抗失配引起的波形畸变；给出了磁芯材料对脉冲的响应分析。实验结果表明：TLTs对输出脉冲的响应良好，改善了波形前沿，减小了能量损耗，且与理论值具有较好的一致性。

介绍了小型平板型有界波模拟器的研制和实验, 包括基于氢闸流管感应叠加技术的双指数波重频脉冲源的研制、输出同轴屏蔽结构的设计与输出变压器磁场分布的计算、小型平板型辐射器的设计及工作区内电场的计算与仿真, 给出了辐射器工作区内电场初步测量的结果。实验结果表明:即使在感应叠加单元的氢闸流管器件和栅极触发时钟的参数存在差异的情况下, 辐射器的工作区内电场基本上符合线性叠加原则。

描述了小空间尺度下一种硅外延平面二极管过流时的实验现象, 以电压调控开关的模型解释这种现象。通过电压调控开关模型的二极管间隙间电势变化过程的定性分析可知, 由于空间电荷效应, 超过或临界空间电荷时, 二极管电流有可能呈现振荡特性。通过无限大空间内薄束漂移的时间行为证明了这种振荡存在的可能性。用非线性方程的数学模型对这种现象做了仿真, 仿真结果与实验现象相吻合。

分析了工业辐照加速器扫描磁铁的三角波励磁电流的选取.介绍了一种输出电流峰-峰值20 A、扫描频率为20～50 Hz的连续三角波的工业辐照加速器扫描磁铁电源.阐述了三角波调制器的原理、三角波线性度、基于单片机的控制系统以及其在工业辐照环境下采取的抗干扰措施.理论和应用均表明该设计具有很好的辐照均匀度.

介绍了MOSFET调制器的基本原理,并对其并联分流和感应叠加两种开关结构进行了实验研究.基于可编辑逻辑器件设计了其触发电路,驱动电路采用高速MOSFET对管组成的推挽输出形式,加快了MOSFET的开关速度.利用Pspice软件对开关上有无剩余电流电路(RCD)两种情况进行仿真,结果表明,加装RCD电路可以有效吸收MOSFET在关断瞬间产生的反峰电压.实验中,电流波形用Pearson线圈测量,用3个MOSFET并联作开关,当电容充电电压为450 V,负载为30 Ω时,脉冲电流13 A,前沿20 ns,平顶约80 ns;用3个单元调制器感应叠加,当电容充电电压为450 A,负载为30 Ω时,脉冲电流强度为40 A,前沿25 ns,平顶约70 ns.

分析了脉冲调制器产生短脉冲时冲击磁铁回路电感对脉冲前后沿和宽度不可忽略的影响,从理论上导出了冲击磁铁回路电感与脉冲前后沿的关系,给出并分析了几组实验结果,提出了采用屏蔽结构和适当增加阻抗等两种可行的减小脉冲前沿的方案.

采用软开关恒流充电技术,研制了一台40kV/20kW开关型脉冲成形网络(PFN)充电高压电源装置,该装置在重复频率范围、PFN电容容量较大变动时,都能达到高的稳定性,并具有体积小、效率高、可并联运行的特点,可用于环型加速器注入引出、直线加速器、雷达发射等领域.介绍了该装置的研制及带PFN负载的实验状况.