北京工业大学 光电子技术教育部重点实验室, 北京 100124
为了稳定半导体激光器激射光束在光纤传输过程的耦合效率, 提出一种沟槽结构的半导体激光器, 并对该结构激光器的光束、耦合效率及P-I特性进行研究。在普通条形半导体激光器的脊形区刻蚀了周期性的沟槽结构, 来改善半导体激光器有源区的增益分布。通过对比普通结构与沟槽结构半导体激光器的光束分析, 测试其耦合效率以及P-I特性。结果表明:沟槽结构的半导体激光器能够使光腔内模式更加稳定, 输出光束更加集中, 并避免了“Kink”效应的发生; 与此同时, 耦合效率提高至97.7%, 并且较普通结构激光器更为稳定。沟槽结构半导体激光器有效地解决了光斑跳动问题, 稳定了激光器的耦和效率。
半导体激光器 沟槽结构 光斑跳动 耦合效率 semiconductor laser groove structure optical filaments fluctuation coupling efficiency
1 北京工业大学 光电子技术省部共建教育部重点实验室, 北京 100124
2 邓迪大学 工程物理和数学学院, 邓迪DD14HN
3 集成光电子学国家重点联合实验室, 北京 100083
4 华侨大学 信息科学与工程学院, 福建 厦门 361021
研究了离子辅助沉积(IBAD)电子束蒸发和传统电子束蒸发两种镀膜方式在Si（100）面基底所镀SiO2光学薄膜的特性。特别是在离子辅助沉积下, 分析了不同工艺条件改变对SiO2光学薄膜的光学特性的影响。结果表明, 无论表面形貌、折射率均匀性, 还是湿度稳定性, 离子辅助电子束蒸发都优于传统电子束蒸发的SiO2光学薄膜, 在离子辅助沉积条件下, 薄膜折射率在40～160℃范围随衬底温度的升高而提高, 镀膜时真空度为1.5×10-3Pa、沉积速率为5nm/s、离子源驱动电压为285.4V、离子源辅助气体分压比PAr∶PO=1∶1时, SiO2光学薄膜的光学特性最好。
光学薄膜 电子束蒸发 离子辅助沉积(IBAD) 折射率 optical thin film electron beam evaporation IBAD refractive index
