为了提高半导体激光器件的可靠性, 研究了AlN过渡热沉上AuSn焊料不同配比对半导体激光器器件性能的影响。利用MOCVD 生长975 nm芯片, 通过对半导体激光器器件表面形貌、空洞、光谱特性、热阻特性以及寿命测试, Au组分比重低于72%的AlN过渡热沉封装器件表面颜色明显不同于组分相对较高的, 空洞较多, 平均波长红移约5 nm, 在寿命试验中过早失效, 最终得出AuSn焊料中Au组分比重最好大于72%, 小于80%, 才能保证封装器件焊接质量, 为实际生产和使用提供了指导意义。

利用电致发光(EL)的方法, 研究了突然失效的975 nm大功率应变量子阱激光器。起初, 我们以为激光器失效是由于腔面发生了突然光学灾变(COMD)。然而, 通过EL实验, 发现其中一部分激光器腔面没有任何损伤, 而内部发生了突然光学灾变(COBD), 为工艺的进一步改善指明了方向。对90只发生COD的激光器进行EL成像, 发现暗线缺陷(DLD)起始于腔面或是激光器内部。DLD是严重的非辐射复合区, 通常沿着有源区延伸出几个分支, 造成激光器功率急剧下降。详细分析了不同COD模式的特征并进行了对比。并进一步分析了两种典型COD模式发生的原因, 然后给出了抑制COD和提高大功率半导体激光器性能的建议。