合肥鑫晟光电科技有限公司, 安徽 合肥 230001
研究了一种长期THO信赖性过程中产生的四角发黑Mura。由于该Mura在TFT膜面可见, 本文重点模拟分析了TFT侧在信赖性过程中电容的变化, 确定了不良是存储电容(Cst)变化引发的电学不良, 其机理为水汽不断进入第二绝缘层(PVX2), Cst持续增大, 进而造成了TFT-LCD像素充电电压和灰阶的降低。通过降低沉积压强和提高Si/N比, PVX2膜层致密性和阻水性加强, 模拟信赖性测试中电容的变化由19.6%降至0.5%, 成功解决了该不良, 避免了信赖性风险, 提升了产品品质。
信赖性 氮化硅 阻水 电容 灰阶 Mura Mura reliability SiNx water resistance capacitance grey
