本文研究了基于T公司生产的某型号正性光阻, 采用错位叠加紫外曝光工艺, 实现灰阶曝光效果的方法, 最终得到具有特定角度的楔形斜面结构。光阻在进行紫外感光前后, 对紫外光的吸收系数α会发生变化, 根据朗伯比尔定律(Lambert-Beer law), 将楔形斜面结构等效成台阶状结构, 并通过实验计算出使该光阻发生光解反应的临界曝光能量I、光阻感光前后的吸收系数α和α′, 并进一步根据等效模型结构得到错位叠加曝光过程中每步曝光所需能量大小。实验结果表明, 使光阻进行分解反应的临界曝光能量I约为8 mJ, 对紫外光的吸收系数α约为1.14。经过紫外感光后, 光阻对紫外光的吸收系数α′降为原来20%, 进一步根据计算得到的曝光能量进行实验, 最终制作出所需的斜角为32°的楔形结构。错位叠加曝光的方法可以得到具有特定角度的楔形斜面微结构, 而且该过程所需的曝光条件可以根据楔形角度进行计算。
楔形斜面 朗伯比尔定律 错位叠加曝光 吸收系数 临界曝光能量 wedge bevel Lambert-Beer law dislocation and superposition exposure absorption coefficient critical exposure energy
介绍了光刻法石墨烯的制备方法, 分析了光刻工艺过后石墨烯方阻升高的不良机理, 并给出了相应的优化方案。首先, 根据半导体工艺研发制程完成石墨烯图案化工艺方案, 并对工艺方案进行有效优化。接着, 分析了石墨烯光刻法图案化后方阻升高的机理。最后, 通过改善工艺方案, 增加金属湿法刻蚀的步骤, 解决石墨烯方阻升高的问题。实验结果表明: 通过光刻法制得的石墨烯具有更高的图案精细度, 关键尺寸可达到5 μm。双层石墨烯膜的方阻在光刻法图案化后, 通过工艺改善可以保持原始膜最初阻值约330 Ω/□, 甚至可以降低到270 Ω/□左右。光刻法图案化石墨烯技术, 既能保证石墨烯图案尺寸精度, 又可以保持甚至降低石墨烯方阻值, 适合于量产开发。
光刻 石墨烯 方块电阻 关键尺寸 photo graphene square resistance critical dimension
采用标准的液晶显示屏基板制备工艺制备出铟镓锌氧薄膜晶体管（IGZO-TFT）,通过调节IGZO薄膜工艺中氧分压, 研究不同氧分压对TFT器件电学性能的影响。实验结果表明, 所有器件都展现出良好的电学特性, 随着氧分压从10%增加到50%, TFT的阈值电压由0.5 V增加到2.2 V, 而亚阈值摆幅没有发生变化。在栅极施加30 V偏压3 600 s后, 随着氧分压的增加, 阈值电压向正向的漂移量由1 V增加到9 V。经过分析得出高氧分压的IGZO-TFT器件中载流子浓度低, 建立相同导电能力的沟道时所需要栅极电压会更大, 阈值电压会增加。而在金属-绝缘层-半导体（MIS）结构中低载流子浓度会导致有源层能带弯曲的部分包含更多与电子陷阱相同的能态, 栅介质层(GI)会俘获更多的电子, 造成阈值电压漂移量较大的现象。
铟镓锌氧薄膜晶体管 氧分压 阈值电压漂移 电子积累层 indium gallium zinc oxide thin film transistor oxygen partial pressure shift of threshold voltage electron accumulation layer
