浙江大学超大规模集成电路设计研究所, 浙江 杭州 310027
充分利用光刻系统中光源的部分相干特性和一维图形的特性，提出了针对一维版图的快速平面光刻仿真算法。该方法由一维基元图形查表法、最小查找表及其边缘延伸和无切割的大面积版图仿真组成。仿真结果表明，在保证极高准确性的基础上，相比于传统的快速仿真方法，该方法将查找表的建立时间缩短了95%以上、基本图形的仿真速度提高了48%左右、大面积版图的仿真速度提高了70%以上。
成像系统 光刻 光刻仿真 一维版图 光学学报
2013, 33(11): 1111001
浙江大学 超大规模集成电路设计研究所,浙江 杭州 310027
在基于光刻模型的光学邻近校正(MB-OPC)中,线段与控制点的映射关系是影响校正结果的一个重要因素。现有的线段与控制点的映射关系均是基于规则的,或者是精度较差的一对一映射关系,或者是计算速度较慢的全对一映射关系。提出了一种新的带有线段与控制点映射模型的光学邻近校正技术,其映射模型是根据光强梯度推导出的特征区域,线段与控制点的映射关系可以是一对一的,也可以是多对一的,且该映射关系在校正过程中对所有的控制点均适用,无需重复计算。实验结果表明,带有映射模型的MB-OPC结果的边放置误差(EPE)的方差改善显著,且运行时间无显著增加。
成像系统 光刻 光学邻近校正 映射模型
