高功率激光器在工业应用领域的需求不断增长，提高光-光转化效率是降低其生产制造成本的关键途径。针对提高激光器光-光转化效率所面临的增益介质的热负荷问题，利用锁定波长的969 nm“零声子线”泵浦、自主研制的高性能Yb∶YAG薄片晶体和48冲程泵浦系统等，搭建了高效的连续Yb∶YAG薄片激光器系统，实现了最高输出功率373 W，光-光转化效率可达73.37%。其优异性能为后续开展千瓦级超快Yb∶YAG薄片激光器研究奠定了基础。

为了更深入地研究如何提高太赫兹超材料的品质因子，从而提高超材料传感器的检测灵敏度，对太赫兹超材料传感器结构进行了针尖化设计。以双开口方形环为例，对其双开口狭缝进行双针尖结构设计，通过理论仿真研究双侧开口针尖角度对太赫兹超材料传感器的共振频率、电流分布、共振峰半峰宽的影响。进一步根据公式计算出品质因子Q值，分析双针尖设计对双开口方形环检测灵敏度的增强效果。仿真结果表明，针尖角度为150°时，传感器的Q值可提升至未针尖化模型的5倍。所提出的针尖化设计也可适用于其他谐振器单元结构，将其引入现有的太赫兹超材料传感器设计中，将有助于进一步提高传感器检测灵敏度。

采用多级串联的主振荡放大技术，将SESAM锁模的种子光通过多级串联端泵Nd∶YVO₄晶体放大，产生平均功率为148.7 W、重复频率500 kHz~4 MHz、脉冲宽度8 ps的1 064 nm基频光，同时开展了LBO晶体高效率二倍频的研究。通过优化相位匹配，实现了平均功率为95 W的532 nm皮秒激光输出，光-光转换效率达65%，光束质量因子M_X²=1.27/M_Y²=1.42，6 h功率抖动均方根低于0.8%。该绿光皮秒激光系统具有平均功率高、转换效率高、光束质量好、稳定性高、重频可调等优点，可以被作为皮秒激光加工系统的光源，被应用于科学研究和工业加工领域。

在薄膜晶体管（Thin film transistor，TFT）的栅极（Gate）刻蚀制程中，显示区（AA区）和引线区（Fanout区）因布线密度差异而存在刻蚀负载效应，两区域刻蚀程度差异大，刻蚀时间难以确定。抑制栅极刻蚀制程中的刻蚀负载效应，对品质确保具有积极意义。本文分析了湿法刻蚀微观过程，提出增加刻蚀液喷淋流量抑制刻蚀负载效应的方案。将增加喷淋流量的方案转化为调节3个刻蚀腔室（Etch1~Etch3）的刻蚀时间比例。在总刻蚀时间不变的前提下，进行3腔室不同时间比例的刻蚀验证，并对刻蚀结果进行聚类分析。最后，优选出抑制刻蚀负载效应的时间比例，并结合神经网络分析，对结果进行解析。实验结果表明，降低Etch3时间比例，增加Etch2时间比例，刻蚀负载效应可以被抑制。Etch1~Etch3的时间比例由33.33%∶33.33%∶33.33%调整为10%∶80%∶10%，AA区和fanout区刻蚀程度差异由0.575 μm下降为0.317 μm。通过调节3个刻蚀区间的时间比例，可以抑制刻蚀负载效应，缓解不同区域刻蚀程度差异，满足TFT量产需求。

Swept source optical coherence tomography (SS-OCT) is a new noninvasive technique for assessing tissue. Although it has advantages, such as being label-free, noninvasive, and with high resolution, it also has drawbacks: there has been no in-depth research into identifying the driving of swept source. Based on preliminary research, we demonstrate a novel driving modulation method of a fiber Fabry–Perot tunable filter ranging phase adjustable as a tool for making bandwidth compensation of a swept laser source. This novel method is analyzed in detail; a swept laser source with a sweep rate of 100.5 kHz over a range of 152.25 nm and at a center wavelength of 1335.45 nm is demonstrated.

在薄膜晶体管（Thin film transistor，TFT）的公共电极制程中，有部分TFT样品的漏电流（I_off）异常偏高，该部分样品经历同一个光刻胶剥离设备，导致该设备暂停流片，造成产能损失。明确该剥离设备造成TFT漏电流偏高的原因并予以解决，对产能和品质确保具有积极意义。本文首先收集了异常设备剥离液和正常设备的剥离液并分析成分，发现异常设备的剥离液中Al离子含量高。其次，发现TFT的I_off会随着在异常设备流片次数的增加而上升。其原因是Al离子在剥离制程生成Al₂O₃颗粒，该颗粒附着在TFT器件钝化层上形成寄生栅极效应，最终造成I_off增加。最后，结合TRIZ输出解决方案，并优选方案进行改善验证。实验结果表明，剥离液中的Al离子浓度由1×10^-8上升到2.189×10^-6时，I_off由3.56 pA上升到7.56 pA。当剥离液中含有Al离子，经历的剥离次数增加时，I_off呈上升趋势。钝化层成膜前的等离子体处理功率增强、钝化层膜厚增加可以抑制I_off增加。由此，可以确定剥离设备造成I_off偏高的原因是剥离液中的Al离子形成的寄生栅极效应，钝化层成膜前处理强化和膜厚增加均可以抑制该效应。

电网波动对上海光源加速器的正常运行有较大影响。针对该问题，展开了系统的分析和研究工作。首先介绍了电网波动的成因以及电网波动对上海光源的影响情况。通过对具体事例进行分析，优化了上海光源加速器受电网波动影响后的基本恢复流程。分析了各硬件系统在发生电网波动时的不同表现，并依此探讨了如何优化此类故障的处理流程，建立完善的机器恢复程序。针对外电网波动提出若干建议，并提出了面对电网波动时需要采取的措施，尽可能降低电网波动对如低温压缩机、超导高频腔等关键设备的影响。以期缩短实际故障时间，加快机器恢复速度，保障上海光源稳定运行。以近10年运行数据为基础，研究发现电网波动对上海光源的影响存在若干重要阈值，这些阈值对机器恢复具有指标性作用。对因电压暂降产生的二次故障进行分析讨论，并提出若干建议。