在常规的条状一维位置敏感探测器(PSD)中,光敏区和位置电阻区是结合在一起的,器件的欧姆接触电极难以做得比较理想,因此器件的位置准确度和线性度也受到了不利的影响。而在梳状一维位置敏感探测器中,光敏区和位置电阻区被分成了梳齿区和梳脊区两部分,并且位置电阻区被设计成很窄的长条,即使掺杂浓度比较高,位置电阻也能做得相当大。这样条状一维位置敏感探测器接触电极上的缺陷就可消除。用两种不同的一维位置敏感探测器所测量的位置特性曲线证实了理论分析的正确性。测量结果还表明,梳状一维位置敏感探测器的位置准确度和线性度比条状一维位置敏感探测器有了显著的提高,梳状一维位置敏感探测器的平均位置误差从条状一维位置敏感探测器的55 μm减小到了26 μm,梳状一维位置敏感探测器的均方根非线性度从条状一维位置敏感探测器的0.94%减小到了0.09%。

证明了枕型二维位置敏感探测器设计的基本原理――Gear定理,并推导了适用于枕型二维位置敏感探测器的位置计算公式，此外还提出了枕型二维位置敏感探测器的制作工艺和测试结果。采用集成电路工艺所研制的枕型二维位置敏感探测器(光敏面为8 mm×8 mm)表现出良好的光电特性，当反偏为5 V时其暗电流约为15 nA，峰值时的光谱灵敏度超过了0.6 A/W。在所测量的75%光敏区域内，均方根位置误差约为0.135 mm,而以均方根位置误差表示的非线性度在1.1%左右，比四边形二维位置敏感探测器的位置线性度提高了近一个数量级。

本文通过计算SiO2单层以及SiO2和Si3N4组成的双层减反膜对不同波长的反射率,给出了位敏探测器表面反射损耗的优化.

从BaTiO3晶体自泵浦相位共轭透射光束的出射角随泵浦光束入射角的变化,相位共轭透射光束在晶体中的光路,以及相位共轭透射光束的透射率随泵浦光束和晶体c轴夹角的变化等几方面研究了BaTiO3晶体自泵浦相位共轭中的透射效应,根据实验结果肯定了自泵浦相位共轭中透射现象的存在.

本文提出了一种计算磁光多层结构光学特性的新方法,它可以用来计算包含有一层或多层磁性薄膜的磁光多层结构的反射率、Kerr角及椭圆度等光学特性,并得到了应用.