作者单位
摘要
1 上海大学通信与信息工程学院, 上海 200444
2 上海先进通信与数据科学研究院, 上海 200444
3 国网山东省电力公司, 山东 济南 250000
通过分析杆塔镂空的结构特征,提出了一种基于杆塔梯度方向直方图(HOG)的由远及近杆塔部件检测方法。使用不同方位下杆塔HOG特征训练多层感知机(MLP),得到训练后的分类模型,将航拍图像输入到分类模型中识别杆塔的方位,最终实现了局部目标的检测。相比于深度学习神经网络,该方法的分类特征更加明确,更具有代表性。实验结果表明,所提方法的检测准确率比Faster RCNN(Regions with Convolutional Neural Networks)方法高27.9%,运算时间比Faster RCNN减少70.6%。所提方法适用于在开阔环境下利用无人机对杆塔方位及其局部部件的精确检测。
图像处理 视觉导航 梯度方向直方图特征 多层感知机 杆塔检测 神经网络 
激光与光电子学进展
2019, 56(8): 081006
Author Affiliations
Abstract
Photonics Laboratory, King Abdullah University of Science and Technology (KAUST), Thuwal 23955-6900, Saudi Arabia
This tutorial focuses on devices and technologies that are part of laser-based visible light communication (VLC) systems. Laser-based VLC systems have advantages over their light-emitting-diode-based counterparts, including having high transmission speed and long transmission distance. We summarize terminologies related to laser-based solid-state lighting and VLC, and further review the advances in device design and performance. The high-speed modulation characteristics of laser diodes and superluminescent diodes and the on-chip integration of optoelectronic components in the visible color regime, such as the high-speed integrated photodetector, are introduced. The modulation technology for laser-based white light communication systems and the challenges for future development are then discussed.
060.2605 Free-space optical communication 230.0230 Optical devices 
Chinese Optics Letters
2019, 17(4): 040601
作者单位
摘要
1 浙江大学国家光学仪器工程技术研究中心, 杭州 310027
2 浙江大学物理系, 杭州 310027
证明了枕型二维位置敏感探测器设计的基本原理――Gear定理,并推导了适用于枕型二维位置敏感探测器的位置计算公式,此外还提出了枕型二维位置敏感探测器的制作工艺和测试结果。采用集成电路工艺所研制的枕型二维位置敏感探测器(光敏面为8 mm×8 mm)表现出良好的光电特性,当反偏为5 V时其暗电流约为15 nA,峰值时的光谱灵敏度超过了0.6 A/W。在所测量的75%光敏区域内,均方根位置误差约为0.135 mm,而以均方根位置误差表示的非线性度在1.1%左右,比四边形二维位置敏感探测器的位置线性度提高了近一个数量级。
光学器件 位置敏感探测器 横向光电效应 枕型二维位置敏感探测器 
光学学报
2005, 25(2): 233
作者单位
摘要
1 浙江大学物理系杭州 310027
2 浙江大学国家光学仪器工程技术研究中心杭州 310027
本文通过计算SiO2单层以及SiO2和Si3N4组成的双层减反膜对不同波长的反射率,给出了位敏探测器表面反射损耗的优化.
反射损耗 导纳特征矩阵法 PSD PSD reflection loss characteristic admittance matrix 
光电子技术
2001, 21(3): 194

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