1 华南理工大学 电子与信息学院, 广东 广州510641
2 华南理工大学 发光材料与器件国家重点实验室, 广东 广州510641
提出了一种新型有源矩阵有机发光显示用电流编程型像素驱动电路。该像素电路由3个开关薄膜晶体管、一个驱动薄膜晶体管、一个存储电容和两条控制线构成。仿真结果表明, 该4T1C像素电路可以补偿薄膜晶体管阈值电压的非均匀性以及有机发光二极管阈值电压的漂移, 发光电流的平均非均匀性为4.63% 。值得指出的是, 同传统的电流编程型像素电路相比, 本像素电路存储电容的接法可有效提高电路响应速度。此外, 还分析了寄生电容对像素电路工作的影响。
有源有机发光二极管 薄膜晶体管 像素电路 电流编程 active-matrix organic light-emitting diode thin-film transistor pixel circuit current-programmed
1 常州工学院 光电工程学院，江苏 常州 213002
2 华南理工大学 电子与信息学院，广州510641
通过磁控溅射Al掺杂的ZnO陶瓷靶，在pSi片上沉积n型电导的ZnO薄膜而制备了ZnO/pSi异质结，并通过测试其光照下的IV、CV特性对其光电特性以及载流子输运特性与导电机理进行了研究。研究表明ZnO/pSi异质结存在良好的整流特性与光电响应，可以广泛应用在光电探测和太阳电池等领域。由于在ZnO/pSi异质结界面处的导带补偿与价带补偿相差太大的缘故，在正向电压超过1V时，导电机理为空间电荷限制电流导电。同时，研究表明ZnO/pSi异质结界面存在大量界面态，可以通过减小界面态进一步提高其光电特性。
ZnO/pSi异质结 IV特性 CV特性 内建电势 界面态 ZnO/pSi heterojunction characteristics of IV characteristics of CV builtin potential interface state
1 广东工业大学 材料与能源学院， 广东 广州 510006
2 华南理工大学 电子与信息学院， 广东 广州 510640
基于能量方程、热流方程和边界条件，推导出了非晶硅薄膜晶体管的沟道热阻模型。采用该模型可准确预估器件有源层内的平均温度。在沟道热阻模型的基础上，考虑器件间场氧化层和金属互联线的影响，建立了非晶硅薄膜晶体管的二维热阻模型。采用该模型可描述器件有源层内温度的横向分布，并快速预估沟道内的最高结温。最后，将模型预测结果与器件模拟仿真结果进行了对比，两者拟合良好。
非晶硅薄膜晶体管 热阻 自热效应 温度分布 amorphous silicon thin film transistor thermal resistance self-heating effect temperature distribution
1 中国科学院,等离子体物理研究所,安徽,合肥,230031
2 炮兵学院一系,安徽,合肥,230031
3 华南理工大学,应用物理系,广东,广州,510641
从负径向电场产生的电漂移改变荷电粒子运动的极向运动速度着手,推导出在负径向电场存在时安全因子的表达式,分析了安全因子对荷电粒子漂移位移和运动轨迹的影响.建立了在负径向电场条件下,荷电粒子在梯度磁场和曲率磁场中运动数学模型.通过数值模拟,获得了通行粒子、香蕉粒子的漂移位移和运动轨迹所呈现出的新特点和规律:负径向电场改变了荷电粒子的最大漂移位移.当荷电粒子的极向运动速度增加时,最大漂移位移减小,反之增大;改变了荷电粒子的运动轨迹,通行粒子的轨亦可能变为香蕉粒子的轨迹,香蕉粒子的轨迹可能变为通行粒子的轨迹,当电场达到足够的强度时,均成为在极向上顺时针运动的通行粒子轨迹.
负径向电场 梯度与曲率漂移 安全因子 通行粒子 香蕉粒子 Negative radial electric field Curvature and gradient drift Assurance coefficient Transit ions Banana ions
