研究了不同色温LED照明时节律效应随年龄的变化规律。在节律因子计算公式中，引入不同年龄人眼的透射谱，分析LED色温和年龄对节律因子的影响。然后，测量了12名老年和18名青年男性在黑暗状态下以及照度为500 lx、不同色温LED照明时的心率，采用黑暗状态与照明状态的心率变化表征节律效应，来验证所得的理论规律。结果表明：色温为6 500，5 500，4 500，3 500 K的LED照明时，青年人(20岁)的节律因子分别为1.1，0.7，0.5，0.44，不同色温LED照明时心率变化率差异明显；老年人(65岁)的节律因子分别为0.5，0.3，0.25，0.2，不同色温下心率变化较小。在同一色温LED照明时，节律效应随着年龄的增加而减小。LED色温不同时，青年人节律因子的变化较大，老年人则变化较小。

研究了视网膜照度、节律效应和蓝光危害随年龄的变化规律.采用光谱仪测量了4款常见发光二极管背光显示器显示白色和蓝色时的归一化光谱分布, 然后结合不同年龄人眼的晶状体透射谱, 计算了视网膜照度因子、节律因子和蓝光危害能效因子, 得到三者与年龄的变化规律.研究表明: 对于同一发光二极管背光显示器, 视网膜照度因子、节律因子和蓝光危害能效因子均随年龄的增加而显著减小; 同一人眼的视网膜照度因子随显示器类型的变化较小; 对于年轻人, 不同类型显示器的蓝光危害能效因子和节律因子差异明显, 特别是显示蓝色时, 但是, 对于老年人, 不同类型显示器的蓝光危害能效因子和节律因子差异较小.

研究了光谱带宽表征GaN 蓝色发光二极管(LED)结温的最优方式。测量了10只GaN 蓝色LED 在不同驱动电流和不同热沉温度下的归一化光谱功率分布和结温，采用最小二乘法分析得到不同n 值的光谱带宽Δλn 表征结温的公式，比较了该公式和电压法得到的结温之间的差别以及差别最小时的最优n 值。研究表明采用不同n 值的Δλn均能够表征结温。随着n 值减小，Δλn 表征结温的误差先减小后增大。最优n 值与光谱仪的测量误差有关。采用Hass2000型光谱仪时最优n 值为0.2或0.3。该研究对提高GaN 基LED 结温的测量准确度具有重要意义。

提出一种运用相对光谱的整体差异表征AlGaInP基LED结温的方法.首先使用光谱仪测量不同驱动电流、不同衬底温度下, 不同颜色AlGaInP基LED的相对光谱, 计算同一LED不同结温条件下相对光谱之间的差异, 然后分析相对光谱差异与结温变化量之间的线性度, 最后比较相对光谱差异法与峰值波长法测量的准确性.研究表明: 相对光谱差异与LED结温变化成正比, 相对光谱差异法的准确度和测量误差随光谱仪带宽的增大而增大.当光谱仪带宽为2 nm时, 其准确度优于采用带宽为1 nm的峰值波长法;当带宽为5 nm时, 其准确度与带宽为1 nm的峰值波长法相当.

在驱动电流为350 mA时, 测量了LED阵列在不同衬底温度下的归一化光谱功率分布, 然后计算质心波长, 并分析其与LED阵列平均结温变化量的关系, 最后研究了质心波长表征结温的准确度。研究结果表明: 采用1 nm采样间隔的光谱仪, 质心波长与平均结温的变化成良好的线性关系, 其线性度明显优于中心波长法。同时, 质心波长的测量精度更高。因此, 质心波长测试是一种可以精确表征AlGaInP基LED阵列平均结温的有效方法。

提出了一种采用归一化光谱分布的总体差异表征AlGaInP基发光二极管(LED)阵列平均结温的新方法。采用光谱仪测量了不同衬底温度、不同注入功率时，3种LED阵列的归一化光谱分布，研究了归一化光谱分布差异与LED阵列平均结温的关系，并将归一化光谱分布差异表征平均结温的准确度与文献报道的中心波长法相比较。研究结果表明：无论是改变衬底温度还是注入功率，采用常用的1 nm采样间隔的光谱仪，归一化光谱分布差异与LED阵列平均结温的变化成良好的线性关系，线性度优于中心波长法，因此归一化光谱分布差异可以用于平均结温的测算，且准确度高于中心波长法。

为了在传感器测量锂电池非连续性膜厚前不需测量C型机构的固有频率和扫描振动频率, 采用3层小波-阈值判断-稀疏分解信号处理去噪方法, 进行了理论分析和实验验证。该方法不需固有频率和扫描振动频率的先验知识, 在不同C型机构扫描速率模式下, 通过迭代选取最佳匹配的原子序列保留锂电池薄膜厚度分布, 滤除局部噪声波动, 实现稀疏迭代去噪。结果表明, 相对于小波算法, 在缺乏先验知识的条件下, 稀疏分解算法具有较好的去噪性能, 其均方差值达5μm~7μm, 是一种操作简单、可行有效的方法。

提出基于改进灰关联算法实现锂电池薄膜缺陷在线快速识别系统。该识别系统中提取二值化图像中缺陷的几何形状和投影参数作为特征值,进行缺陷识别。将改进灰关联识别算法与传统灰关联算法、模版匹配相关性算法作比较,实验结果表明:该系统识别准确率达到91.2％。

采用成本低廉的连续离子层沉积法通过在n型Si衬底上沉积γ相的多晶结构的CuI薄膜而制备了CuI/n-Si异质结。并通过测试其光照下的I-V、C-V特性对其光电特性、载流子输运特性及导电机理进行了研究。研究表明CuI/n-Si异质结存在良好的整流特性，由于在CuI/n-Si异质结界面处的导带补偿与价带补偿相差较大，在正向电压、无光照下，导电机理为空间电荷限制电流导电，此时空穴电流主导; 在光照下，异质结表现出良好的光电响应，因此可以广泛应用在光电探测和太阳电池等领域。

通过磁控溅射Al掺杂的ZnO陶瓷靶，在pSi片上沉积n型电导的ZnO薄膜而制备了ZnO/pSi异质结，并通过测试其光照下的IV、CV特性对其光电特性以及载流子输运特性与导电机理进行了研究。研究表明ZnO/pSi异质结存在良好的整流特性与光电响应，可以广泛应用在光电探测和太阳电池等领域。由于在ZnO/pSi异质结界面处的导带补偿与价带补偿相差太大的缘故，在正向电压超过1V时，导电机理为空间电荷限制电流导电。同时，研究表明ZnO/pSi异质结界面存在大量界面态，可以通过减小界面态进一步提高其光电特性。