作者单位
摘要
1 常州工学院光电工程学院, 江苏 常州 213002
2 常州现代光电技术研究院, 江苏 常州 213002
3 常州光电子材料与器件重点实验室, 江苏 常州 213002
研究了光谱带宽表征GaN 蓝色发光二极管(LED)结温的最优方式。测量了10只GaN 蓝色LED 在不同驱动电流和不同热沉温度下的归一化光谱功率分布和结温,采用最小二乘法分析得到不同n 值的光谱带宽Δλn 表征结温的公式,比较了该公式和电压法得到的结温之间的差别以及差别最小时的最优n 值。研究表明采用不同n 值的Δλn均能够表征结温。随着n 值减小,Δλn 表征结温的误差先减小后增大。最优n 值与光谱仪的测量误差有关。采用Hass2000型光谱仪时最优n 值为0.2或0.3。该研究对提高GaN 基LED 结温的测量准确度具有重要意义。
光谱学 结温测试 光谱分析 发光二极管 光谱仪 光谱带宽 
光学学报
2015, 35(1): 0130002
饶丰 1,2,3,*徐安成 1朱锡芳 1
作者单位
摘要
1 常州工学院 光电工程学院, 江苏 常州 213002
2 常州现代光电技术研究院, 江苏 常州 213002
3 常州光电子材料与器件重点实验室, 江苏 常州 213002
提出一种运用相对光谱的整体差异表征AlGaInP基LED结温的方法.首先使用光谱仪测量不同驱动电流、不同衬底温度下, 不同颜色AlGaInP基LED的相对光谱, 计算同一LED不同结温条件下相对光谱之间的差异, 然后分析相对光谱差异与结温变化量之间的线性度, 最后比较相对光谱差异法与峰值波长法测量的准确性.研究表明: 相对光谱差异与LED结温变化成正比, 相对光谱差异法的准确度和测量误差随光谱仪带宽的增大而增大.当光谱仪带宽为2 nm时, 其准确度优于采用带宽为1 nm的峰值波长法;当带宽为5 nm时, 其准确度与带宽为1 nm的峰值波长法相当.
光谱学 结温测试 光谱分析 发光二极管 光谱仪 带宽 Spectroscopy Junction temperature measurement Spectral analysis Light emitting diode Spectrometer Bandwidth 
光子学报
2014, 43(9): 0912003
作者单位
摘要
1 常州工学院 光电工程学院, 江苏 常州213002
2 常州现代光电技术研究院, 江苏 常州213002
3 常州光电子材料与器件重点实验室, 江苏 常州213002
在驱动电流为350 mA时, 测量了LED阵列在不同衬底温度下的归一化光谱功率分布, 然后计算质心波长, 并分析其与LED阵列平均结温变化量的关系, 最后研究了质心波长表征结温的准确度。研究结果表明: 采用1 nm采样间隔的光谱仪, 质心波长与平均结温的变化成良好的线性关系, 其线性度明显优于中心波长法。同时, 质心波长的测量精度更高。因此, 质心波长测试是一种可以精确表征AlGaInP基LED阵列平均结温的有效方法。
光谱学 发光二极管阵列 结温测试 光谱分析 质心波长 spectroscopy light emitting diode array junction temperature measurement spectral analysis centroid wavelength 
发光学报
2014, 35(9): 1093
饶丰 1,2,3,*朱锡芳 1徐安成 1
作者单位
摘要
1 常州工学院光电工程学院, 江苏 常州 213002
2 常州现代光电技术研究院, 江苏 常州 213002
3 常州光电子材料与器件重点实验室, 江苏 常州 213002
提出了一种采用归一化光谱分布的总体差异表征AlGaInP基发光二极管(LED)阵列平均结温的新方法。采用光谱仪测量了不同衬底温度、不同注入功率时,3种LED阵列的归一化光谱分布,研究了归一化光谱分布差异与LED阵列平均结温的关系,并将归一化光谱分布差异表征平均结温的准确度与文献报道的中心波长法相比较。研究结果表明:无论是改变衬底温度还是注入功率,采用常用的1 nm采样间隔的光谱仪,归一化光谱分布差异与LED阵列平均结温的变化成良好的线性关系,线性度优于中心波长法,因此归一化光谱分布差异可以用于平均结温的测算,且准确度高于中心波长法。
光谱学 结温测试 光谱分析 发光二极管阵列 光谱仪 归一化光谱分布差异 
光学学报
2014, 34(9): 0930004
作者单位
摘要
1 中国科学院 长春光学精密机械与物理研究所,吉林 长春 130033
2 中国科学院 研究生院,北京 100049春 130023
3 吉林大学 电子科学与工程学院,吉林 长春 130023
基于大功率半导体激光器的热传导模型提出了一种测量准连续输出大功率半导体激光器结温的方法。实验通过测量980 nm大功率半导体激光器在不同电脉冲宽度(5~200 μs)下的时域光谱和输出特性dλ/dT=0.3 nm/℃来确定它的结温;同时,根据热传导模型推导出准连续工作条件下结温的近似解析表达式来验证测量得到激光器的结温。结果表明,实验测量结果和通过解析表达式理论计算结果之间符合得很好。所提出的解析表达式可准确预测大功率半导体激光器在准连续工作条件下的结温而无需测量时域光谱,是一种简便快速的预测方法。
半导体激光器 结温测试 semiconductor laser junction temperature measurement 
光学 精密工程
2011, 19(6): 1244

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